雷達(dá)對抗輻射式仿真技術(shù)

第 1 章 概述
1.1 仿真、系統(tǒng)與建模
1.1.1 仿真的基本概念
1.1.2 連續(xù)系統(tǒng)和離散系統(tǒng)
1.1.3 建模技術(shù)
1.2 雷達(dá)對抗輻射式仿真
1.2.1 輻射式仿真的基本任務(wù)
1.2.2 輻射式仿真系統(tǒng)的典型組成
1.2.3 國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀
第 2 章 微波暗室設(shè)計(jì)
2.1 微波暗室簡介
2.1.1 微波暗室的分類
2.1.2 射頻仿真暗室特點(diǎn)
2.1.3 微波暗室的組成
2.2 微波暗室技術(shù)要點(diǎn)
2.2.1 暗室形狀選擇
2.2.2 暗室尺寸的確定
2.2.3 微波暗室屏蔽體
2.2.4 微波暗室吸波材料分析與鋪設(shè)
2.3 暗室的靜區(qū)性能
2.3.1 靜區(qū)性能指標(biāo)
2.3.2 反射電平的影響分析
2.4 微波性能預(yù)估與測試
2.4.1 暗室靜區(qū)性能預(yù)估
2.4.2 暗室靜區(qū)性能測試
第 3 章 復(fù)雜電磁信號模擬技術(shù)
3.1 復(fù)雜電磁信號模擬在雷達(dá)對抗輻射式仿真中的能力需求分析
3.1.1 復(fù)雜電磁信號模擬的主要內(nèi)容
3.1.2 能力需求
3.2 復(fù)雜電磁信號環(huán)境模擬技術(shù)
3.2.1 概念與仿真模擬重點(diǎn)
3.2.2 典型實(shí)現(xiàn)方案
3.2.3 技術(shù)要點(diǎn)
3.3 雷達(dá)回波與干擾信號模擬技術(shù)
3.3.1 概念與仿真模擬要點(diǎn)
3.3.2 典型實(shí)現(xiàn)方案
3.3.3 技術(shù)要點(diǎn)
3.4 復(fù)雜電磁環(huán)境模擬中的模型實(shí)現(xiàn)
3.4.1 電磁信號傳播路徑模型
3.4.2 多路徑模型
3.4.3 遮擋效應(yīng)模型
3.4.4 坐標(biāo)系和坐標(biāo)系變換模型
3.4.5 方向圖模型
3.4.6 目標(biāo)特性模型
3.4.7 雜波信號模型
3.4.8 干擾信號模型
第 4 章 電磁輻射平臺運(yùn)動模擬技術(shù)
4.1 天線陣列技術(shù)
4.1.1 三元組間隔選擇準(zhǔn)則
4.1.2 三元組工作原理
4.1.3 天線陣元組件
4.1.4 天線陣面結(jié)構(gòu)
4.2 饋電通道技術(shù)
4.3 電磁輻射平臺運(yùn)動模擬系統(tǒng)標(biāo)校技術(shù)
4.4 近場效應(yīng)修正技術(shù)
4.5 極化控制技術(shù)
4.5.1 不同極化的實(shí)現(xiàn)
4.5.2 影響極化因素分析
第 5 章 姿態(tài)運(yùn)動模擬技術(shù)
5.1 概述
5.1.1 姿態(tài)運(yùn)動模擬器發(fā)展?fàn)顩r
5.1.2 姿態(tài)運(yùn)動模擬器控制方法研究現(xiàn)狀
5.2 姿態(tài)運(yùn)動模擬器
5.2.1 姿態(tài)運(yùn)動模擬器的主要任務(wù)
5.2.2 姿態(tài)運(yùn)動模擬器的結(jié)構(gòu)組成
5.2.3 姿態(tài)運(yùn)動模擬器的工作原理
5.3 姿態(tài)運(yùn)動模擬器伺服控制方法
5.3.1 姿態(tài)運(yùn)動模擬器控制系統(tǒng)建模
5.3.2 控制方法研究
5.4 姿態(tài)運(yùn)動模擬器關(guān)鍵技術(shù)
5.4.1 高精度的實(shí)現(xiàn)
5.4.2 寬頻帶的實(shí)現(xiàn)
5.4.3 平穩(wěn)性的實(shí)現(xiàn)
5.5 姿態(tài)運(yùn)動模擬器性能指標(biāo)測試方法
5.5.1 檢驗(yàn)內(nèi)容
5.5.2 檢驗(yàn)方法及合格判據(jù)
第 6 章 輻射式仿真控制技術(shù)
6.1 仿真控制在雷達(dá)對抗輻射式仿真中的功能需求
6.2 設(shè)計(jì)要點(diǎn)
6.3 實(shí)現(xiàn)及技術(shù)要點(diǎn)
6.3.1 典型實(shí)現(xiàn)方案
6.3.2 技術(shù)要點(diǎn)
6.4 平臺運(yùn)動學(xué)模型
6.5 典型仿真應(yīng)用實(shí)例
6.5.1 測試準(zhǔn)備
6.5.2 測試運(yùn)行
6.5.3 測試評估
第 7 章 輻射式仿真精度分析
7.1 精度影響因素
7.2 天線陣列與饋電控制誤差因素分析
7.2.1 通道幅相不平衡引起的誤差分析
7.2.2 衰減器最小可分辨率引起的誤差分析
7.2.3 天線陣列上天線位置誤差分析
7.2.4 天線陣列上天線電軸指向誤差分析
7.2.5 電磁泄漏引起的誤差分析
7.3 暗室多路徑傳輸誤差因素分析
7.4 待測品天線與天線陣列不同心
7.5 轉(zhuǎn)臺動態(tài)精度分析
7.5.1 轉(zhuǎn)臺傳遞函數(shù)模型的建立
7.5.2 轉(zhuǎn)臺動態(tài)誤差模型的建立
7.5.3 基于頻率特性的轉(zhuǎn)臺動態(tài)精度分析
7.5.4 轉(zhuǎn)臺對反輻射武器作戰(zhàn)性能測試精度影響分析
第 8 章 未來技術(shù)發(fā)展趨勢和展望
8.1 寬帶信號模擬技術(shù)
8.2 天線陣列數(shù)字化技術(shù)
8.3 射頻信號光傳輸與控制技術(shù)
8.4 多暗室協(xié)同聯(lián)動仿真測試技術(shù)
參考文獻(xiàn)