硅基氮化鎵外延材料與芯片

目錄
《半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)叢書》出版說明
序
前言
第1章 Si基GaN材料與芯片的研究意義 1
1.1 半導(dǎo)體材料的分類 1
1.2 GaN的結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 4
1.3 GaN制備的難點 7
1.4 Si基GaN材料與芯片 9
參考文獻 12
第2章 Si基GaN材料的外延生長 15
2.1 Si基GaN薄膜的外延生長 15
2.1.1 Si基GaN外延薄膜生長的科學(xué)技術(shù)難題 15
2.1.2 GaN薄膜生長的基本模型.18
2.1.3 橫向外延過生長 20
2.1.4 插入層技術(shù) 22
2.1.5 低溫生長技術(shù) 27
2.1.6 應(yīng)力補償技術(shù) 30
2.2 零維GaN量子點的生長技術(shù) 34
2.2.1 Si基GaN量子點的優(yōu)勢及生長難點 34
2.2.2 緩沖層生長技術(shù) 37
2.2.3 自組織生長技術(shù) 40
2.2.4 選區(qū)生長技術(shù) 44
2.3 一維GaN納米線的生長技術(shù) 48
2.3.1 一維GaN納米線的優(yōu)勢及生長難點 48
2.3.2 催化劑輔助生長技術(shù) 51
2.3.3 掩模法選區(qū)生長技術(shù) 52
2.3.4 自組裝生長技術(shù) 54
2.4 二維GaN的生長技術(shù) 59
2.4.1 二維GaN的優(yōu)勢及生長難點 59
2.4.2 石墨烯封裝的遷移增強技術(shù) 60
2.4.3 模板技術(shù) 64
2.4.4 表面限域生長技術(shù) 65
參考文獻 67
第3章 Si基GaN LED材料與芯片 75
3.1 引言 75
3.2GaNLED芯片工作原理 75
3.3 Si基GaN LED材料的發(fā)展意義 77
3.3.1 Si基GaN LED的優(yōu)勢 77
3.3.2 Si基GaN LED面臨的瓶頸 78
3.4 Si基GaN LED材料的生長與優(yōu)化 78
3.4.1 V形坑調(diào)控技術(shù) 78
3.4.2 超晶格應(yīng)力釋放層 80
3.4.3 InGaN/GaN多量子阱的優(yōu)化 81
3.4.4 電子阻擋層 83
3.4.5 p 型GaN的設(shè)計 85
3.5 Si基大功率GaN LED芯片的制備工藝 86
3.5.1 各類結(jié)構(gòu)性能對比 86
3.5.2 Si基GaN LED芯片的工藝流程 87
3.5.3 分割線電極技術(shù) 88
3.5.4 三維通孔電極技術(shù) 89
3.5.5 電流阻擋層 91
3.5.6 鏡面結(jié)構(gòu) 92
3.5.7 金屬鍵合 94
3.5.8 激光剝離技術(shù) 95
3.5.9 表面粗化 97
3.6 Si基GaN LED芯片的應(yīng)用及發(fā)展趨勢 98
3.6.1 照明及其發(fā)展趨勢 98
3.6.2 micro/mini-LED及全彩顯示 98
3.6.3 Si基紫外LED 99
3.6.4 可見光通信應(yīng)用及其發(fā)展趨勢 101
參考文獻 104
第4章 Si基GaN高電子遷移率晶體管 107
4.1 引言 107
4.2GaNHEMT芯片的工作原理及制備工藝 108
4.2.1GaN異質(zhì)結(jié)及其極化效應(yīng) 108
4.2.2GaNHEMT芯片的工作原理 110
4.2.3GaNHEMT芯片的基本工藝技術(shù) 111
4.3GaNHEMT芯片分類及應(yīng)用 114
4.3.1 耗盡型GaN HEMT芯片 115
4.3.2 增強型GaN HEMT芯片 116
4.3.3GaNHEMT芯片的性能參數(shù) 119
4.4 Si基GaN HEMT芯片性能提升技術(shù) 122
4.4.1 Si基GaN HEMT芯片性能提升面臨的難點 122
4.4.2 異質(zhì)外延結(jié)構(gòu)調(diào)控技術(shù) 123
4.4.3 Si基GaN HEMT芯片關(guān)鍵技術(shù) 136
4.5 Si基GaN HEMT芯片應(yīng)用及發(fā)展趨勢 142
4.5.1 電力電子應(yīng)用及其發(fā)展趨勢 142
4.5.2 射頻應(yīng)用及其發(fā)展趨勢 144
參考文獻 146
第5章 Si基GaN肖特基二極管 148
5.1 引言 148
5.2 Si基GaN SBD的原理及性能參數(shù) 149
5.2.1 工作原理 149
5.2.2 性能參數(shù) 158
5.3 Si基GaN SBD芯片性能調(diào)控 161
5.3.1 Si基GaN SBD芯片的優(yōu)勢及面臨的瓶頸 161
5.3.2 Si基GaN SBD芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計 165
5.3.3 Si基GaN SBD關(guān)鍵工藝 178
5.4 Si基GaN SBD的應(yīng)用及發(fā)展趨勢 184
5.4.1 電源管理 185
5.4.2 射頻前端 186
5.4.3 發(fā)展趨勢 187
參考文獻 188
第6章 Si基GaN光電探測芯片 191
6.1 引言 191
6.2 Si基GaN光電探測芯片的工作原理及制備工藝 192
6.2.1 Si基GaN光電探測芯片的工作原理 192
6.2.2 Si基GaN光電探測芯片的性能參數(shù) 195
6.2.3 Si基GaN光電探測芯片的制備工藝 199
6.3 Si基GaN光電探測芯片性能調(diào)控技術(shù) 201
6.3.1 Si基GaN光電探測芯片面臨的瓶頸 201
6.3.2 局域表面等離激元共振技術(shù) 202
6.3.3 新型異質(zhì)結(jié)技術(shù) 204
6.3.4 低維納米材料技術(shù) 210
6.4 Si基GaN光電探測芯片的應(yīng)用 215
6.4.1 光通信 216
6.4.2 光學(xué)成像 218
參考文獻 219
第7章 Si基GaN光電解水芯片 222
7.1 引言 222
7.2 Si基GaN光電解水芯片的工作原理與結(jié)構(gòu)參數(shù) 223
7.2.1 光電解水芯片的工作原理 223
7.2.2 Si基GaN光電解水芯片的結(jié)構(gòu) 225
7.2.3 Si基GaN光電解水芯片的性能參數(shù) 226
7.3 Si基GaN光電解水芯片的發(fā)展意義 230
7.3.1 Si基GaN光電解水芯片的優(yōu)勢 230
7.3.2 Si基GaN光電解水芯片面臨的瓶頸 230
7.4 Si基GaN光電解水芯片的制備及性能 231
7.4.1 Si基GaN光電解水芯片的制備工藝 231
7.4.2 低失配外延技術(shù) 234
7.4.3 摻雜工程 236
7.4.4 異質(zhì)結(jié)工程 239
7.4.5 表面改性技術(shù) 243
7.5 Si基GaN光電解水芯片的應(yīng)用 245
7.5.1 污染物分解 245
7.5.2 海水電解 247
7.5.3 PV-PEC耦合 248
參考文獻 250
第8章 Si基GaN集成芯片 253
8.1 引言 253
8.2 Si基GaN集成芯片工作原理及工藝 254
8.3 Si基GaN集成芯片的優(yōu)勢及應(yīng)用 254
8.3.1 Si基GaN數(shù)字芯片 255
8.3.2 Si基GaN模擬芯片 258
8.4 Si基GaN集成芯片的發(fā)展趨勢 262
參考文獻 263
《半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)叢書》已出版書目 264