太赫茲光電導(dǎo)天線(xiàn)

1太赫茲波的產(chǎn)生 和探測(cè)技術(shù)001n1.1 太赫茲波簡(jiǎn)介003n1.1.1 太赫茲波的特性及應(yīng)用003n1.1.2 太赫茲波的特性004n1.1.3太赫茲波的應(yīng)用005n1.1.4 制約太赫茲技術(shù)發(fā)展的因素008n1.2 太赫茲時(shí)域光譜技術(shù)009n1.2.1 基于光電導(dǎo)天線(xiàn)的太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)012n1.2.2 光電導(dǎo)天線(xiàn)013n1.3 太赫茲光電導(dǎo)天線(xiàn)的研究歷史與現(xiàn)狀014n1.4 光電導(dǎo)天線(xiàn)研究中存在的問(wèn)題018n參考文獻(xiàn)021n2 光電導(dǎo)天線(xiàn)產(chǎn)生和探測(cè)太赫茲波的機(jī)理025n2.1 德魯?shù)?洛倫茲模型027n2.1.1載流 子密度的變化027n2.1.2漂移速 度的變化027n2.1.3電 場(chǎng)的屏蔽效應(yīng)028n2.1.4電場(chǎng)的輻射028n2.2電流瞬沖模型029n2.3等離 子體模型030n2.3.1激光誘導(dǎo) 等離子體輻射太赫茲波的理論模型031n2.3.2GaAs光電導(dǎo)天線(xiàn)輻射太赫茲波頻譜寬度的實(shí)驗(yàn)與理論計(jì)算034n2.3.3GaAs光電導(dǎo)天線(xiàn)輻射太赫茲波峰值頻率的實(shí)驗(yàn)與理論計(jì)算036n2.4光電導(dǎo)天線(xiàn)檢測(cè)太赫茲波的機(jī)理042n參考文獻(xiàn)047n3 光電導(dǎo)天線(xiàn)材料051n3.1 GaAs 材料的性質(zhì)053n3.1.1 SI- GaAs 054n3.1.2 LT- GaAs055n3.2其他種類(lèi)的 光電導(dǎo)材料055n3.2.1藍(lán)寶石外延硅(SOS)055n3.2.21030nm激光器泵浦的材料056n3.2.3 1 100~1 300 nm激光器泵浦的材料056n3.2.41550nm(通信波長(zhǎng))激光器泵浦的材料057n3.2.5寬禁帶半導(dǎo)體材料060n3.3天線(xiàn)芯片材料對(duì)天線(xiàn)輻射太赫茲波功率的影響066n3.4天線(xiàn)的噪聲069n3.4.1天線(xiàn)的噪聲模型069n3.4.2 LT- GaAs天線(xiàn)和SI - GaAs天線(xiàn)的信噪比實(shí)驗(yàn)074n3.5天線(xiàn)輻射 太赫茲波的穩(wěn)定性076n3.5.1溫度 對(duì)天線(xiàn)芯片材料性能的影響076n3.5.2 LT- GaAs天線(xiàn)和SI - GaAs天線(xiàn)的穩(wěn)定性實(shí)驗(yàn)079n3.6 GaAs:O 080n3.6.1離子注人條件的選擇081n3.6.2退火過(guò)程081n3.6.3 GaAs:O天線(xiàn)和SI - GaAs天線(xiàn)性能的對(duì)比082n參考文獻(xiàn)084n4 光電導(dǎo)太赫茲天線(xiàn)結(jié)構(gòu)087n4.1天線(xiàn)電極結(jié)構(gòu)對(duì)GaAs光電導(dǎo)天線(xiàn)輻射特性的影響089n4.1.1天線(xiàn)電極長(zhǎng)度L對(duì)GaAs光電導(dǎo)天線(xiàn)輻射特性的影響092n4.1.2天線(xiàn)線(xiàn)寬W對(duì)GaAs光電導(dǎo)天線(xiàn)輻射特性的影響092n4.1.3 天線(xiàn)間隙g對(duì)GaAs光電導(dǎo)天線(xiàn)輻射特性的影響093.n4.2 大孔徑光電導(dǎo)天線(xiàn).094n4.2.1電極間隙094n4.2.2電極寬度對(duì)天線(xiàn)穩(wěn)定性的影響096n4.2.3熱沉對(duì) 天線(xiàn)穩(wěn)定性的影響097n4.2.4刻蝕對(duì)天線(xiàn) 擊穿場(chǎng)強(qiáng)的影響098n4.2.5絕緣保護(hù)對(duì)天線(xiàn)擊穿場(chǎng)強(qiáng)的影響099n參考文獻(xiàn)100n5光電導(dǎo)天線(xiàn)制備工藝105n5.1掩模版的制作107n5.2 天線(xiàn)的制備工藝108n5.3天線(xiàn)的安裝111n5.4電極材料對(duì)天線(xiàn)性能的影響111n5.4.1 金屬電極和SI - GaAs的接觸理論111n5.4.2n型GaAs天線(xiàn)電極材料的研究117n5.4.3光電導(dǎo)天線(xiàn)電極性能的測(cè)試119n參考文獻(xiàn)127n6相干合成光電導(dǎo)天線(xiàn)陣列129n6.1光電導(dǎo)天線(xiàn)陣列的發(fā)展歷史131n6.2相干疊加的基本原理133n6.3天線(xiàn)陣列的結(jié)構(gòu)136n6.4 分立光電導(dǎo)天線(xiàn)陣列138n6.4.11X2光電導(dǎo)天線(xiàn)陣列的太赫茲波輻射138n6.4.22X2光電導(dǎo)天線(xiàn)陣列的太赫茲波輻射141n6.5集 成光電導(dǎo)天線(xiàn)陣列143n6.5.1太赫茲波功率探測(cè)的基本原理143n6.5.2集成光電導(dǎo)天線(xiàn)陣列輻射太赫茲波的功率探測(cè)144n6.5.3集成光電導(dǎo)天線(xiàn)陣列相干合成功率密度146n參考文獻(xiàn)147n7非線(xiàn)性光電導(dǎo)天線(xiàn)149n7.1 線(xiàn)性工作模式151n7.1.1 線(xiàn)性工作模式的特性151n7.1.2線(xiàn)性工作模式GaAs光電導(dǎo)天線(xiàn)的太赫茲輻射特性152n7.2 非線(xiàn)性工作模式156n7.2.1雪崩倍增工作模式的特性157n7.2.2雪崩倍增工作模式GaAs光電導(dǎo)天線(xiàn)的缺陷158n7.2.3高倍增猝滅工作模式159n7.2.4高倍增猝滅工作模式的特性159n7.2.5高倍增猝滅工作模式GaAs光電導(dǎo)天線(xiàn)的實(shí)現(xiàn)160n7.2.6高倍增猝滅工作模式GaAs光電導(dǎo)天線(xiàn)的弱光觸發(fā)161n7.2.7高倍增猝滅 工作模式GaAs光電導(dǎo)天線(xiàn)的重頻特性166n7.2.8高倍增猝滅工作模式GaAs光電導(dǎo)天線(xiàn)的太赫茲輻射特性170n參考文獻(xiàn)177n8光電導(dǎo)天線(xiàn)對(duì)太赫茲波的全信息探測(cè)技術(shù)179n8.1脈沖太赫茲波偏振檢測(cè)概述181n8.2Fe 注人InP的偏振敏感探測(cè)器182n8.3偏振敏感的 四接觸電極探測(cè)器184n8.4多接觸光電導(dǎo)天線(xiàn)的結(jié)構(gòu)性評(píng)估190n8.5脈沖太赫茲全信息探測(cè)天線(xiàn)陣列198n參考文獻(xiàn)209n9光電導(dǎo)天線(xiàn)的應(yīng)用211n9.1檢測(cè)交聯(lián)聚乙烯絕緣電纜材料的老化特性213n9.2研究太赫茲波在非均勻等離子體中的傳輸特性215n9.3應(yīng)用于生物檢測(cè)領(lǐng)域220n9.3.1基于PCA輻射源的微流控芯片檢測(cè)含水生物樣品221n9.3.2基于PCA輻射源的THz-ATR技術(shù)檢測(cè)含水生物樣品229n9.3.3基于PCA輻射源的超材料太赫茲技術(shù)檢測(cè)含水生物樣品236n9.3.4基于PCA輻射源的波導(dǎo)太赫茲技術(shù)檢測(cè)含水生物樣品.245n9.4 脈沖太赫茲全信息探測(cè)天線(xiàn)陣列的應(yīng)用247n9.4.1手性特征介質(zhì)概述247n9.4.2谷氨酸-5-甲酯的太赫茲波光學(xué)特性249n9.4.3谷氨酸-5-甲酯的旋光性255n參考文獻(xiàn)262n索引264