半導(dǎo)體集成電路（第二版）

定　價：￥69.00

作　者：	余寧梅，楊媛，郭仲杰
出版社：	科學(xué)出版社
叢編項：
標(biāo)　簽：	暫缺

ISBN：	9787030759580	出版時間：	2023-08-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	306	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書在簡述半導(dǎo)體集成電路的基本概念、發(fā)展和面臨的主要問題后，以“器件工藝電路應(yīng)用”為主線，首先介紹半導(dǎo)體集成電路的主要制造工藝、基本元器件的結(jié)構(gòu)和工作原理，然后重點討論數(shù)字集成電路中組合邏輯電路、時序邏輯電路、存儲器、邏輯功能部件，介紹模擬集成電路中的關(guān)鍵電路和數(shù)模、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路。《BR》本書以問題為導(dǎo)向，在每一章節(jié)開始設(shè)置了啟發(fā)性問題，并以二維碼方式給出了關(guān)鍵章節(jié)的預(yù)習(xí)教學(xué)視頻。全書內(nèi)容系統(tǒng)全面，敘述深入淺出，易于自學(xué)。配備了器件彩色三維結(jié)構(gòu)圖，讀者可以通過掃描二維碼進行查看。

作者簡介

暫缺《半導(dǎo)體集成電路（第二版）》作者簡介

圖書目錄

第1章緒論
1.1 半導(dǎo)體集成電路的概念
1.1.1 半導(dǎo)體集成電路的基本概念
1.1.2 半導(dǎo)體集成電路的分類
1.2 半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展過程
1.3 半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展規(guī)律
1.4 半導(dǎo)體集成電路面臨的問題
1.4.1 深亞微米集成電路設(shè)計面臨的問題與挑戰(zhàn)
1.4.2 深亞微米集成電路性能面臨的問題與挑戰(zhàn)
1.4.3 深亞微米集成電路工藝面臨的問題與挑戰(zhàn)
技術(shù)拓展：Chiplet（芯粒）
基礎(chǔ)習(xí)題
高階習(xí)題
第2章雙極集成電路中的元件形成及其寄生效應(yīng)
2.1 雙極集成電路的制造工藝
2.1.1 雙極型晶體管的單管結(jié)構(gòu)和工作原理
2.1.2 雙極集成晶體管的結(jié)構(gòu)與制造工藝
2.2 集成雙極晶體管的有源寄生效應(yīng)
技術(shù)拓展：BCD工藝
基礎(chǔ)習(xí)題
高階習(xí)題
第3章 MOS集成電路中晶體管的形成及其寄生效應(yīng)
3.1 MOSFET晶體管的結(jié)構(gòu)及制造工藝
3.1.1 MOSFET晶體管器件結(jié)構(gòu)與工作原理
3.1.2 MOSFET晶體管的制造工藝
3.2 CMOS集成電路的制造工藝
3.2.1 n阱CMOS工藝
3.2.2 p阱CMOS工藝
3.2.3 雙阱CMOS工藝
3.3 MOS集成電路中的有源寄生效應(yīng)
3.3.1 場區(qū)寄生MOSFET
3.3.2 寄生雙極型晶體管
3.3.3 CMOS集成電路中的閂鎖效應(yīng)
3.4 深亞微米CMOS集成電路工藝
技術(shù)拓展：緣體上硅技術(shù)
基礎(chǔ)習(xí)題
高階習(xí)題
第4章集成電路中的無源元件
4.1 集成電阻器
4.1.1 雙極集成電路中常用的電阻
4.1.2 MOS集成電路中常用的電阻
4.2 集成電容器
4.2.1 雙極集成電路中常用的集成電容器
4.2.2 MOS集成電路中常用的電容器
4.3 互連線
4.3.1 多晶硅互連線
4.3.2 擴散層連線
4.3.3 金屬互連線
技術(shù)拓展：修調(diào)技術(shù)
基礎(chǔ)習(xí)題