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內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書聚焦銻基紅外探測(cè)器技術(shù)的概念與發(fā)展，完整介紹了銻基紅外材料的特點(diǎn)、銻基及二類超晶格紅外探測(cè)器、勢(shì)壘型及級(jí)聯(lián)紅外光電探測(cè)器、探測(cè)器對(duì)紅外輻射進(jìn)行耦合等內(nèi)容，闡述了作為碲鎘汞三元合金探測(cè)器替代技術(shù)的銻基紅外探測(cè)器的器件結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)、銦砷銻三元合金材料和二類超晶格材料在紅外焦平面陣列的應(yīng)用前景等內(nèi)容，進(jìn)行了銻基紅外探測(cè)器與碲鎘汞紅外探測(cè)器的性能比較。

作者簡(jiǎn)介

　　喻松林，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司光電子領(lǐng)域集團(tuán)首席專家，研究員，長(zhǎng)期從事紅外成像、光電探測(cè)及紅外探測(cè)器技術(shù)研究工作，在我國(guó)武器型號(hào)裝備用碲鎘汞二代紅外焦平面探測(cè)器、三代紅外焦平面探測(cè)器、機(jī)載遠(yuǎn)程紅外預(yù)警專用探測(cè)器、航天應(yīng)用超長(zhǎng)線列及超大面陣紅外探測(cè)器等方面有著系統(tǒng)、深入研究，是國(guó)家核高基科技重大專項(xiàng)“三代紅外焦平面”課題技術(shù)總師、國(guó)家科技部“光電子及微電子器件及集成”重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃總體組專家。

圖書目錄

前言致謝第1章紅外探測(cè)器特征 1.1 簡(jiǎn)介1.2 紅外探測(cè)器分類1.3 探測(cè)器的優(yōu)值 1.4 探測(cè)器的性能基本限制1.5 焦平面陣列的性能第2章銻基材料2.1 體材料2.2 外延層2.3 物理性質(zhì)2.4 熱產(chǎn)生-復(fù)合過程第3章 II類超晶格3.1 帶隙工程紅外探測(cè)器 3.2 II類超晶格的生長(zhǎng) 3.3 物理特性3.4 載流子壽命3.5InAsGaSb與InAsInAsSb超晶格系統(tǒng)比較第4章銻基紅外光電二極管4.1 二元III-V族光電二極管的最新進(jìn)展4.1.1 InSb光電二極管4.1.2 InAs光電二極管4.1.3 InAs雪崩光電二極管4.2 InAsSb體材料光電二極管第5章 II類超晶格紅外光電二極管5.1InAsGaSb超晶格光電二極管5.2InAsInAsSb超晶格光電二極管 5.3 器件鈍化5.4 II類超晶格光電探測(cè)器的噪聲機(jī)制第6章紅外勢(shì)壘光電探測(cè)器6.1 工作原理6.2 SWIR勢(shì)壘探測(cè)器6.3 MWIRInAsSb勢(shì)壘探測(cè)器6.4 LWIRInAsSb勢(shì)壘探測(cè)器6.5 T2SL勢(shì)壘探測(cè)器6.6 勢(shì)壘探測(cè)器與HgCdTe光電二極管比較6.7 多色勢(shì)壘探測(cè)器第7章級(jí)聯(lián)紅外光電探測(cè)器 7.1 多級(jí)紅外探測(cè)器7.2 II類超晶格帶間級(jí)聯(lián)紅外探測(cè)器7.2.1 工作原理7.2.2 MWIR帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器7.2.3 LWIR帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器7.3 與HgCdTe HOT光電探測(cè)器性能比較第8章探測(cè)器對(duì)紅外輻射進(jìn)行耦合 8.1 標(biāo)準(zhǔn)耦合8.2 等離子體耦合8.2.1表面等離子體8.2.2 紅外探測(cè)器的等離子體耦合8.3陷光探測(cè)器第9章焦平面陣列9.1 紅外焦平面陣列的發(fā)展趨勢(shì)9.2 紅外FPA的考慮9.3 InSb陣列9.4 InAsSbnBn探測(cè)器FPA9.5 II類超晶格FPA第10章最后的評(píng)述10.1 P-on-nHgCdTe光電二極管10.2 焦平面陣列的可制造性10.3 結(jié)論索引作者介紹