芯片設計-CMOS模擬集成電路版圖設計與驗證：基于Cadence IC 6.1.7（第2版）

第2版前言
第1版前言
第1章先進集成電路器件1
1.1概述1
1.2平面全耗盡絕緣襯底上硅
(FD-SOI ）MOSFET4
1.2.1采用薄氧化埋層的原因5
1.2.2超薄體中的二維效應8
1.3FinFET11
1.3.1三柵以及雙柵FinFET12
1.3.2實際中的結構選擇19
1.4碳基晶體管20
1.4.1碳納米管20
1.4.2碳納米管場效應晶體管22
1.5版圖相關效應26
1.5.1阱鄰近效應27
1.5.2淺槽隔離應力效應29
1.6基于gm/ID的設計方法35
1.6.1模擬集成電路的層次
化設計35
1.6.2gm/ID設計方法所處的
地位36
1.6.3gm/ID設計方法的優(yōu)勢37
1.6.4基于Vov的設計方法38
1.6.5gm/ID設計方法詳述42
1.6.6基于gm/ID的設計實例46
第2章CMOS模擬集成電路
版圖基礎48
2.1CMOS模擬集成電路設計
流程48
2.2CMOS模擬集成電路版圖
定義51
2.3CMOS模擬集成電路版圖
設計流程52
2.3.1版圖規(guī)劃53
2.3.2版圖設計實現54
2.3.3版圖驗證55
2.3.4版圖完成56
2.4版圖設計通用規(guī)則57
2.5版圖布局59
2.5.1對稱約束下的晶體管級
布局60
2.5.2版圖約束下的層次化布局61
2.6版圖布線65
2.7CMOS模擬集成電路版圖
匹配設計69
2.7.1CMOS工藝失配機理69
2.7.2元器件版圖匹配設計
規(guī)則71
第3章Cadence Virtuoso 6.1.7
版圖設計工具74
3.1Cadence Virtuoso 6.1.7界面
介紹74
3.1.1Cadence Virtuoso 6.1.7
CIW界面介紹75
3.1.2Cadence Virtuoso 6.1.7
Library Manager界面介紹81
3.1.3Cadence Virtuoso 6.1.7
Library Path Editor操作
介紹101
3.1.4Cadence Virtuoso 6.1.7
Layout Editor界面介紹111
3.2Virtuoso 基本操作141
3.2.1創(chuàng)建圓形141
3.2.2創(chuàng)建矩形142
3.2.3創(chuàng)建路徑143
3.2.4創(chuàng)建標識名144
3.2.5調用器件和陣列145
3.2.6創(chuàng)建接觸孔和通孔147
3.2.7創(chuàng)建環(huán)形圖形148
3.2.8移動命令149
3.2.9復制命令150
3.2.10拉伸命令151
3.2.11刪除命令152
3.2.12合并命令153
3.2.13改變層次關系命令154
3.2.14切割命令155
3.2.15旋轉命令156
3.2.16屬性命令157
3.2.17分離命令159
3.2.18改變形狀命令160
3.2.19版圖層擴縮命令160
第4章Siemens EDA Calibre
版圖驗證工具162
4.1Siemens EDA Calibre版圖
驗證工具簡介162
4.2Siemens EDA Calibre版圖
驗證工具調用163
4.2.1采用內嵌在Cadence Virtuoso
Layout Editor工具啟動163
4.2.2采用Calibre圖形界面
啟動165
4.2.3采用Calibre查看
器啟動166
4.3Siemens EDA Calibre DRC
驗證168
4.3.1Calibre DRC驗證簡介168
4.3.2Calibre Interactive nmDRC
界面介紹171
4.3.3Calibre nmDRC驗證
流程舉例178
4.4Siemens EDA Calibre nmLVS
驗證187
4.4.1Calibre nmLVS驗證
簡介187
4.4.2Calibre nmLVS界面
介紹188
4.4.3Calibre LVS驗證流程
舉例200
4.5Siemens EDA Calibre寄生
參數提取(PEX)211
4.5.1Calibre PEX驗證簡介211
4.5.2Calibre PEX界面介紹212
4.5.3Calibre PEX流程舉例224
第5章Calibre驗證文件231
5.1Virtuoso Techfile232
5.1.1Virtuoso Techfile內容232
5.1.2修改示例233
5.2Virtuoso Layer Map235
5.2.1Virtuoso Layer Map內容236
5.2.2示例：Virtuoso Layer
Map修改方法236
5.3Virtuoso Symbol CDF236
5.3.1Virtuoso Symbol CDF
內容237
5.3.2示例： Virtuoso參數
修改方法238
5.4SVRF語言240
5.4.1SVRF基本符號使用240
5.4.2SVRF基本 math
function241
5.4.3SVRF 基本格式241
5.4.4Layer Operations運算
輸出242
5.5DRC rule243
5.5.1DRC rule內容244
5.5.2DRC rule主要operation244
5.5.3DRC rule 驗證方法246
5.5.4修改示例246
5.6LVS（PEX）rule249
5.6.1LVS rule內容249
5.6.2LVS rule器件定義250
5.6.3LVS rule驗證方法250
5.6.4示例：pdio18e2r LVS
rule添加方法250
第6章CMOS模擬集成電路版
圖設計與驗證流程253
6.1設計環(huán)境準備253
6.2單級跨導放大器電路的建立
和前仿真259
6.3跨導放大器版圖設計270
6.4跨導放大器版圖驗證與
參數提取281
6.5跨導放大器電路后仿真298
6.6輸入輸出單元環(huán)設計304
6.7主體電路版圖與輸入輸出
單元環(huán)的連接312
6.8導出GDSII文件317
第7章運算放大器的版圖
設計320
7.1運算放大器基礎320
7.2運算放大器的基本特性和分類321
7.2.1運算放大器的基本特性321
7.2.2運算放大器的性能參數322
7.2.3運算放大器的分類326
7.3單級折疊共源共柵運算
放大器的版圖設計331
7.4兩級全差分密勒補償運算
放大器的版圖設計336
7.5電容—電壓轉換電路版圖
設計340
第8章帶隙基準源與低壓差線性
穩(wěn)壓器的版圖設計348
8.1帶隙基準源的版圖設計348
8.1.1帶隙基準源基本原理348
8.1.2帶隙基準源版圖設計
實例354
8.2低壓差線性穩(wěn)壓器的版圖
設計358
8.2.1低壓差線性穩(wěn)壓器的
基本原理359
8.2.2低壓差線性穩(wěn)壓器版圖
設計實例361
第9章模－數轉換器版圖
設計366
9.1性能參數366
9.1.1靜態(tài)參數367
9.1.2動態(tài)特性369
9.1.3功耗指標372
9.1.4抖動372
9.2模－數轉換器的結構及版圖
設計373
9.2.1快閃型模－數轉換器
（Flash ADC）373
9.2.2快閃型模－數轉換器版圖
設計376
9.2.3流水線模－數轉換器基礎
(Pipelined ADC)382
9.2.4流水線模－數轉換器版圖
設計391
9.2.5逐次逼近模－數轉換器
（Successive Approximation
ADC ）392
9.2.6逐次逼近模－數轉換器
版圖設計398
9.2.7Sigma-delta模－數轉
換器401
9.2.8Sigma-delta調制器
版圖設計418
9.3混合信號集成電路版圖設計420
第10章標準輸入輸出單元庫
版圖設計424
10.1標準輸入輸出單元庫概述424
10.1.1標準輸入輸出單元庫
基本性能參數425
10.1.2標準輸入輸出單元庫
分類426
10.2輸入輸出單元庫基本電路
結構427
10.2.1數字雙向模塊基本
電路結構427
10.2.2模擬輸入輸出模塊
基本電路結構432
10.2.3電源與地模塊基本
電路結構434
10.2.4切斷單元與連接單元434
10.3輸入輸出單元庫版圖設計435
10.3.1數字輸入輸出單元
版圖設計435
10.3.2模擬輸入輸出單元的
制作448
10.3.3焊盤（PAD）的制作449
第11章Calibre LVS常見錯誤
解析452
11.1LVS錯誤對話框（RVE
對話框）452
11.2誤連接460
11.3短路462
11.4斷路463
11.5違反工藝原理464
11.6漏標468
11.7元件參數錯誤469
第12章工藝設計工具包471
12.1PDK概述471
12.2輸入輸出單元庫473
12.3模擬PDK文件包478
12.4邏輯PDK文件包480
12.5工藝設計工具包開發(fā)簡述481
參考文獻483