納米多孔GaN基薄膜的制備及其特性研究

目錄“博士后文庫(kù)”序言前言第1章 緒論 11.1 GaN的材料特性 11.2 GaN材料的應(yīng)用背景 31.3 GaN單晶薄膜的研究現(xiàn)狀 61.4 納米多孔GaN單晶薄膜的研究現(xiàn)狀 7第2章 實(shí)驗(yàn)設(shè)備和測(cè)試方法 112.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備 112.1.1 有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 112.1.2 電化學(xué)刻蝕系統(tǒng) 122.2 測(cè)試方法 132.2.1 表面形貌測(cè)試方法 132.2.2 晶體結(jié)構(gòu)測(cè)試方法 152.2.3 物質(zhì)成分測(cè)試方法 162.2.4 光學(xué)特性測(cè)試方法 182.2.5 力學(xué)特性測(cè)試方法 212.2.6 電學(xué)特性測(cè)試方法 222.2.7 其他測(cè)試方法 25第3章 GaN薄膜在預(yù)刻蝕階段的電化學(xué)刻蝕機(jī)理 273.1 實(shí)驗(yàn)部分 283.2 結(jié)果和討論 283.3 本章小結(jié) 34第4章 納米多孔GaN薄膜的光催化特性 354.1 實(shí)驗(yàn)部分354.1.1 納米多孔GaN薄膜的制備 354.1.2 光催化測(cè)試 364.2 結(jié)果和討論364.2.1 納米多孔GaN薄膜的表征 364.2.2 納米多孔GaN薄膜的光催化活性384.2.3 納米多孔GaN薄膜和多孔Si的光催化活性的對(duì)比 404.3 本章小結(jié) 43第5章 納米多孔GaN薄膜的光電化學(xué)特性 445.1 實(shí)驗(yàn)部分 445.1.1 GaN單晶薄膜的制備 445.1.2 納米多孔GaN薄膜的制備 445.1.3 測(cè)試和表征 455.2 結(jié)果和討論 455.3 本章小結(jié) 52第6章 納米多孔GaN基MQW的制備及其光電化學(xué)特性 536.1 實(shí)驗(yàn)部分 536.2 結(jié)果和討論 546.2.1 納米多孔GaN基MQW的制備和表征546.2.2 剝離的納米多孔GaN基MQW的制備和表征 586.2.3 納米多孔GaN基MQW的光電化學(xué)特性 616.3 本章小結(jié) 64第7章 納米多孔GaN基LED的制備及特性 667.1 實(shí)驗(yàn)部分 667.2 結(jié)果和討論 677.3 本章小結(jié) 71第8章 具有分布布拉格反射鏡的GaN基LED制備及特性 728.1 實(shí)驗(yàn)部分 738.1.1 GaN薄膜的外延生長(zhǎng) 738.1.2 片尺寸納米多孔GaN DBR的制備 738.1.3 LED 結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng) 738.1.4 測(cè)試與表征 748.2 結(jié)果和討論 748.3 本章小結(jié) 81第9章 具有GaN/納米空腔的InGaN基LED的制備及特性 829.1 實(shí)驗(yàn)部分 829.1.1 GaN薄膜的外延生長(zhǎng) 829.1.2 片尺寸多層納米多孔GaN結(jié)構(gòu)的制備 839.1.3 LED結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng) 839.1.4 測(cè)試與表征 849.2 結(jié)果和討論 849.3 本章小結(jié) 89第10章 具有中孔GaN分布布拉格反射鏡的InGaN/GaN光陽極的制備及其光電化學(xué)特性 9010.1 實(shí)驗(yàn)部分 9110.1.1 樣品制備 9110.1.2 測(cè)試和表征 9110.2 結(jié)果和討論 9210.3 本章小結(jié) 99第11章 自支撐納米多孔InGaN/GaN MQW的制備及發(fā)光特性 10011.1 實(shí)驗(yàn)部分 10111.1.1 薄膜的外延生長(zhǎng) 10111.1.2 薄膜的光電化學(xué)刻蝕 10111.1.3 測(cè)試和表征 10111.2 結(jié)果和討論 10111.3 本章小結(jié) 107第12章 具有納米多孔GaN反射鏡的多孔InGaN/GaN MQW的光解水特性 10812.1 實(shí)驗(yàn)部分 10912.1.1 薄膜外延生長(zhǎng) 10912.1.2 薄膜的電化學(xué)刻蝕 10912.1.3 測(cè)試和表征 11012.2 結(jié)果和討論 11012.3 本章小結(jié) 119參考文獻(xiàn) 120編后記 143彩圖