電能計量設(shè)備用芯片質(zhì)量評估與檢測

目錄前言第1章概述11.1電能計量設(shè)備發(fā)展11.2電能計量設(shè)備用芯片發(fā)展趨勢3第2章計量設(shè)備用芯片基礎(chǔ)知識52.1微控制器芯片52.1.1微控制器分類52.1.2主要技術(shù)指標62.1.3選型說明72.2計量芯片82.2.1主要技術(shù)指標92.2.2選型說明92.3時鐘芯片132.3.1主要技術(shù)指標132.3.2選型說明142.4RS485通信芯片152.4.1內(nèi)部結(jié)構(gòu)152.4.2主要技術(shù)指標152.4.3選型說明172.5隔離芯片182.5.1主要技術(shù)指標182.5.2選型說明202.6存儲器芯片212.6.1主要技術(shù)指標212.6.2選型說明222.6.3推薦設(shè)計232.7DC/DC電源轉(zhuǎn)換芯片242.7.1工作原理242.7.2主要技術(shù)指標242.7.3選型說明252.7.4基本電路結(jié)構(gòu)252.8磁傳感芯片262.8.1制備流程262.8.2特性曲線262.8.3主要技術(shù)指標262.8.4選型說明272.9液晶驅(qū)動芯片272.9.1主要技術(shù)指標282.9.2選型說明302.9.3設(shè)計電路322.10LDO線性穩(wěn)壓芯片322.10.1主要技術(shù)指標322.10.2選型說明33第3章計量設(shè)備用芯片測試技術(shù)353.1電氣性能與功能測試技術(shù)353.1.1測試原理353.1.2實例363.2靜電敏感度等級測試403.2.1人體放電模式403.2.2機器放電模式413.3抗閂鎖測試423.3.1分類423.3.2抗閂鎖測試流程概述423.3.3電流測試流程443.3.4過電壓測試流程463.4工藝適應性測試463.4.1可焊性測試463.4.2耐焊接熱測試463.4.3焊球剪切測試47第4章芯片可靠性驗證技術(shù)484.1芯片可靠性實驗項目484.1.1預處理（PC，JESD22A113）494.1.2穩(wěn)態(tài)濕度壽命試驗（THB，JESD22A101）504.1.3高加速溫濕度應力試驗（HAST，JESD22A110）524.1.4無偏置高壓蒸煮試驗（AC，JESD22A102）534.1.5無偏置高加速應力試驗（UHAST，JESD22A118）544.1.6溫度循環(huán)試驗（TC，JESD22A104）554.1.7高溫存儲試驗（HTSL，JESD22A103）574.1.8低溫存儲試驗（LTSL，JESD22A119）584.1.9高溫老化壽命試驗（HTOL，JESD22A108）594.1.10循環(huán)耐久性數(shù)據(jù)保持試驗（EDR，JESD22A117）594.2應用一：基于高溫老化壽命試驗的芯片使用壽命評估624.2.1使用壽命定義624.2.2壽命驗證方案設(shè)計634.2.3芯片使用壽命評估實例674.2.4RS485通信芯片684.3應用二：基于無偏高溫蒸煮試驗的芯片封裝可靠性評估69第5章芯片性能綜合評估715.1層次分析法基本原理715.1.1構(gòu)造判斷矩陣715.1.2利用擬優(yōu)化傳遞矩陣求權(quán)數(shù)分配725.1.3檢驗725.2計量芯片綜合評估735.2.1計量芯片引腳及功能對比735.2.2計量芯片參數(shù)對比775.2.3基于層次分析法的計量芯片評價795.3微控制器綜合評價825.3.1微控制器芯片引腳及功能對比825.3.2微控制器芯片參數(shù)對比865.3.3基于層次分析法的微控制器芯片評價885.4存儲芯片綜合評估915.4.1存儲芯片引腳及功能對比915.4.2存儲芯片參數(shù)對比925.4.3基于層次分析法的存儲芯片評價935.5RS485通信芯片綜合評估965.5.1RS485通信芯片引腳及功能對比965.5.2RS485通信芯片參數(shù)對比975.5.3基于層次分析法的RS485通信芯片評價98附錄A芯片相關(guān)標準102附錄B國內(nèi)外芯片檢測機構(gòu)105