高純半導體基礎(chǔ)原料及化合物制備技術(shù)（精）

1 緒論
1．1 半導體材料的性質(zhì)及分類
1．1．1 半導體材料的性質(zhì)
1．1．2 半導體材料的分類
1．2 半導體材料的發(fā)展歷程
1．3 半導體材料的應(yīng)用領(lǐng)域
1．3．1 半導體照明
1．3．2 電力電子器件
1．3．3 新能源領(lǐng)域
1．3．4 移動通信領(lǐng)域
1．3．5 軍事領(lǐng)域
1．4 半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢
1．4．1 半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀
1．4．2 半導體產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展趨勢
1．5 半導體基礎(chǔ)原料的來源
1．6 高純金屬材料的發(fā)展狀況
2 半導體基礎(chǔ)元素
2．1 硒的性質(zhì)和用途
2．1．1 概述
2．1．2 硒的性質(zhì)
2．1．3 硒的用途
2．1．4 硒的產(chǎn)量和消費需求
2．2 碲的性質(zhì)和用途
2．2．1 概述
2．2．2 碲的性質(zhì)
2．2．3 碲的用途
2．2．4 碲的產(chǎn)量和消費需求
2．3 鉍的性質(zhì)和用途
2．3．1 概述
2．3．2 鉍的性質(zhì)
2．3．3 鉍的用途
2．3．4 鉍的產(chǎn)量和消費需求
2．4 銻的性質(zhì)和用途
2．4．1 概述
2．4．2 銻的性質(zhì)
2．4．3 銻的主要用途
2．4．4 銻的產(chǎn)量和消費需求
2．5 砷的性質(zhì)和用途
2．5．1 概述
2．5．2 砷的性質(zhì)
2．5．3 砷的用途
2．5．4 砷的產(chǎn)量和消費需求
3 半導體基礎(chǔ)原料的生產(chǎn)技術(shù)
3．1 概述
3．2 硒的生產(chǎn)
3．2．1 火法處理回收硒
3．2．2 濕法處理回收硒
3．2．3 加壓浸出-火法吹煉回收硒
3．2．4 選冶聯(lián)合工藝回收硒
3．2．5 硒精煉
3．2．6 微波干燥技術(shù)在硒精煉中的應(yīng)用
3．3 鉍的生產(chǎn)
3．3．1 鉍火法冶金技術(shù)
3．3．2 鉍精煉
3．3．3 鉛鉍合金的處理
3．3．4 煙氣治理
3．4 碲的生產(chǎn)
3．4．1 硫酸化焙燒法
3．4．2 分銅渣堿浸分碲
3．4．3 分金液回收碲
3．4．4 加壓浸出液回收碲
3．4．5 火法吹煉造碲渣
3．4．6 碲電積
3．5 銻的生產(chǎn)
3．5．1 銻氧粉的生產(chǎn)
3．5．2 銻白的生產(chǎn)
3．5．3 銻精煉
3．6 砷的生產(chǎn)
3．6．1 堿性氧壓浸出
3．6．2 砷堿渣的處理
3．6．3 砷精煉
4 高純半導體原料制備技術(shù)
4．1 概述
4．2 提純方法
4．2．1 真空蒸餾提純法
4．2．2 區(qū)域熔煉提純法
4．2．3 化學提純法
4．3 高純硒的制備
4．3．1 概述
4．3．2 高純硒的用途
4．3．3 高純硒的制備技術(shù)
4．4 高純銻的制備
4．4．1 概述
4．4．2 高純銻的用途
4．4．3 高純銻的制備技術(shù)
4．5 高純鉍的制備
4．5．1 概述
4．5．2 高純鉍的用途
4．5．3 高純鉍的制備技術(shù)
4．6 高純碲的制備
4．6．1 概述
4．6．2 高純碲的用途
4．6．3 高純碲的制備技術(shù)
4．7 高純砷的制備
4．7．1 概述
4．7．2 高純砷的用途
4．7．3 高純砷的制備技術(shù)
5 化合物半導體制備技術(shù)
5．1 硫系玻璃的制備
5．1．1 概述
5．1．2 硫系玻璃的制備技術(shù)
5．2 碲化鎘的制備
5．2．1 概述
5．2．2 碲化鎘化合物的制備方法
5．2．3 碲化鎘粉末預(yù)處理
5．2．4 碲化鎘靶材燒結(jié)技術(shù)
5．2．5 靶材燒結(jié)致密機理
5．3 砷化鎵的制備
5．3．1 砷化鎵的性質(zhì)
5．3．2 砷化鎵的用途
5．3．3 砷化鎵多晶合成
5．3．4 砷化鎵單晶生長
5．4 碲鋅鎘晶體的制備
5．4．1 概述
5．4．2 碲鋅鎘的制備技術(shù)
5．5 銻化銦的制備
5．5．1 概述
5．5．2 銻化銦的制備技術(shù)
5．6 碲化鉍的制備
5．6．1 Bi2Te3基熱電材料概述
5．6．2 Bi2Te3基熱電材料的制備技術(shù)
參考文獻