硅鍺低維材料可控生長

目錄
叢書序
前言
第1章 低維半導(dǎo)體材料及其物理性質(zhì) 1
1.1 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能帶排列和帶階 1
1.2 量子阱與超晶格 4
1.3 量子點(diǎn) 9
1.4 量子環(huán) 10
參考文獻(xiàn) 12
第2章 低維半導(dǎo)體材料制備方法概述 13
2.1 低維半導(dǎo)體材料刻蝕技術(shù)簡(jiǎn)介 13
2.2 分子束外延生長技術(shù) 20
2.3 低維半導(dǎo)體材料的自組織外延生長 30
2.4 本章小結(jié) 39
參考文獻(xiàn) 39
第3章 硅鍺低維結(jié)構(gòu)的生長理論 42
3.1 硅鍺低維結(jié)構(gòu)的熱力學(xué)理論 42
3.2 圖形襯底上硅鍺量子點(diǎn)生長動(dòng)力學(xué)理論 48
3.3 小應(yīng)力下薄膜外延生長機(jī)制 52
3.4 本章小結(jié) 58
參考文獻(xiàn) 58
第4章 硅鍺低維結(jié)構(gòu)的可控生長技術(shù) 60
4.1 圖形襯底輔助外延技術(shù) 60
4.2 斜切Si襯底表面外延技術(shù) 83
4.3 后處理形貌控制技術(shù) 93
4.4 本章小結(jié) 100
參考文獻(xiàn) 100
第5章 圖形硅襯底上硅鍺可控外延生長 105
5.1 有序排布硅鍺納米島 105
5.2 可控硅鍺納米島外延結(jié)構(gòu) 127
5.3 其他硅鍺低維納米結(jié)構(gòu)生長控制 131
5.4 本章小結(jié) 138
參考文獻(xiàn) 138
第6章 斜切Si襯底上硅鍺可控外延生長 141
6.1〈1 1 0〉方向斜切Si襯底上硅鍺量子點(diǎn)的可控生長 141
6.2 斜切Si（1 1 10）襯底上硅鍺納米線的可控生長 148
6.3〈1 0 0〉方向斜切襯底上硅鍺納米線的可控生長 159
6.4 本章小結(jié) 169
參考文獻(xiàn) 170
第7章 可控硅鍺低維結(jié)構(gòu)的光電特性 172
7.1 可控硅鍺量子點(diǎn)的發(fā)光特性 172
7.2 石墨烯有序硅鍺量子點(diǎn)復(fù)合結(jié)構(gòu)的發(fā)光行為 191
7.3 鍺硅納米結(jié)構(gòu)與光學(xué)微腔共振模的耦合效應(yīng) 194
7.4 可控硅鍺低維量子結(jié)構(gòu)的電學(xué)輸運(yùn)特性 201
7.5 本章小結(jié) 210
參考文獻(xiàn) 211
第8章 硅鍺低維結(jié)構(gòu)片上可控集成與器件應(yīng)用 215
8.1 定位生長技術(shù)與器件可控集成 215
8.2 硅鍺低維可控結(jié)構(gòu)與光電器件集成 219
8.3 Si基低維新材料與可控光電集成 226
8.4 可控量子點(diǎn)新型光電器件集成應(yīng)用展望 246
8.5 本章小結(jié) 250
參考文獻(xiàn) 251