氮化鎵晶體生長技術(shù)

章  GaN襯底體材料市場的發(fā)展 
1.1  引言 
1.2  III族氮化物器件的市場驅(qū)動力和展望 
1.3體GaN襯底材料的優(yōu)勢和重要性 
1.4  體GaN襯底上GaN器件的發(fā)展趨勢 
1.5體GaN襯底的發(fā)展趨勢 
1.6  小結(jié) 
參考文獻 
第二章  GaN的氫化物氣相外延生長技術(shù) 
2.1  引言 
2.2  HVPE法生長GaN的熱力學分析 
2.3  GaAs(100)襯底上的立方GaN生長
2.4  生長在GaAs（111）A和（111）B襯底上GaN性質(zhì)的比較 
2.5  GaAs(111)A和(111)B面上生長GaN初始生長過程的Ab Initio計算 
2.6  GaAs(111)A襯底上厚GaN層的生長
2.7  Fe摻雜半絕緣GaN襯底的制備
參考文獻 
第三章  HVPE法在GaN單晶上生長體GaN 
3.1 引言 
3.2  實驗過程 
3.3  實驗結(jié)果 
3.4  結(jié)論 
參考文獻 
第四章利用空洞輔助分離的HVPE生長自支撐GaN晶片 
4.1  引言 
4.2  HVPE-VAS技術(shù)概要 
4.3  多孔TiN薄膜的GaN模板制備 
4.4  GaN模板上多孔TiN薄膜的HVPE生長 
4.5  HVPE-VAS技術(shù)制備GaN晶片的性能 
4.6  小結(jié) 
參考文獻 
第五章非極性/半極性GaN的HVPE生長法 
5.1引言 
5.2  異質(zhì)外延生長薄膜及襯底的選擇 
5.3  極性/半極性GaN的橫向過生長技術(shù) 
5.4  結(jié)論及展望 
參考文獻 
第六章  MOVPE高生長速率技術(shù) 
6.1  引言 
6.2  傳統(tǒng)MOVPE生長AlGaN和GaN的特性 
6.3  氣相反應的量子化學研究 
6.4  GaN高生長速率的高流速反應器生長 
6.5  討論和總結(jié) 
參考文獻 
第七章氨堿條件下GaN的氨熱生長技術(shù) 
7.1  引言 
7.2  生長方法 
7.3  晶體表征 
7.4  氨熱法同質(zhì)外延生長GaN 
7.5  結(jié)論 
參考文獻 
第八章氨熱法生長體GaN 
8.1  引言 
8.2  礦化劑對氨熱法合成GaN的影響 
8.3  GaN在氨堿溶液中的溶解度 
8.4  金屬Ga為反應物的GaN籽晶生長 
8.5  多晶GaN作為反應物的GaN籽晶生長 
8.6  體GaN的生長及晶圓的切片 
8.7  小結(jié) 
參考文獻 
第九章酸性氨熱法生長GaN工藝 
9.1  簡介 
9.2  酸性氨熱法生長GaN工藝簡史 
9.3  生長工藝 
9.4  溶液化學性質(zhì)和生長機制 
9.5  氨熱法制GaN的特性 
9.6  氨熱法生長GaN的未來發(fā)展前景 
參考文獻 
第十章高壓溶液生長GaN 
10.1  簡介 
10.2  生長方法 
10.3  HPS生長法自發(fā)結(jié)晶 
10.4  HPS法生長GaN籽晶 
10.5  壓生GaN襯底的應用: TopGaN Ltd的藍激光二極管 
10.6  HPS生長方法綜述與展望 
參考文獻 
第十一章鈉流法生長大尺寸GaN晶體的簡要回顧 
11.1  簡介 
11.2  鈉流法歷史發(fā)展簡述 
11.3  鈉流法液相外延生長GaN的實驗條件 
11.4  生長機制和位錯 
11.5  GaN屬性 
11.6  鈉流法的工業(yè)潛力 
參考文獻 
第十二章低壓液態(tài)法生長GaN 
12.1  簡介 
12.2  在常壓下溶液生長技術(shù)，LPSG法 
12.3  GaN層的結(jié)構(gòu)和形貌演變 
12.4  LPSG GaN材料的特性 
12.5  總結(jié)和展望 
參考文獻 
第十三章  GaN襯底的光學性質(zhì) 
13.1  簡介 
13.2  金屬有機氣相外延和鹵化物氣相外延生長GaN襯底的光學性質(zhì) 
13.3  氨熱法極性方向生長對籽晶GaN襯底光學性能的影響 
13.4  位錯彎曲對氨熱法制GaN籽晶襯底光學屬性的影響 
13.5  總結(jié) 
參考文獻 
第十四章基于正電子湮滅光譜學研究體GaN的點缺陷和雜質(zhì) 
14.1  簡介 
14.2  正電子湮滅光譜學 
14.3  In-Grown Defects缺陷的生長 
14.4  缺陷機制 
14.5  總結(jié) 
參考文獻