自旋電子科學(xué)與技術(shù)

第　1章 自旋電子的起源及發(fā)展歷程
1.1　自旋電子的起源
1.1.1　電子的發(fā)現(xiàn)
1.1.2　電子自旋的發(fā)現(xiàn)
1.1.3　磁性與自旋
1.2　自旋電子的發(fā)展歷程
1.2.1　自旋電子的早期應(yīng)用
1.2.2　自旋電子的大規(guī)模應(yīng)用
1.2.3　自旋芯片的發(fā)展
1.3　本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第　2章 巨磁阻效應(yīng)及器件
2.1　巨磁阻效應(yīng)原理
2.1.1　巨磁阻效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)
2.1.2　巨磁阻效應(yīng)的理論模型
2.2　巨磁阻效應(yīng)器件
2.2.1　自旋閥器件
2.2.2　電流垂直于平面型器件
2.3　本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第3章　隧穿磁阻效應(yīng)及器件
3.1　隧穿磁阻效應(yīng)
3.1.1　隧穿磁阻效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)
3.1.2　隧穿磁阻效應(yīng)的理論模型
3.2　面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)器件
3.2.1　磁各向異性的機(jī)理
3.2.2　基于Al-O勢(shì)壘的磁隧道結(jié)
3.2.3　基于MgO勢(shì)壘的磁隧道結(jié)
3.2.4　面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)基本結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)化
3.3　垂直磁各向異性磁隧道結(jié)器件
3.3.1　垂直磁各向異性的發(fā)展
3.3.2　垂直磁各向異性磁隧道結(jié)基本結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)化
3.4　本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第4章　自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)及器件
4.1　自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)
4.1.1　磁動(dòng)力學(xué)原理及其發(fā)展歷程
4.1.2　自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的原理
4.1.2　自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
4.2　自旋轉(zhuǎn)移矩器件
4.2.1　基于面內(nèi)磁各向異性的磁隧道結(jié)
4.2.2　基于垂直磁各向異性的磁隧道結(jié)
4.2.3　新型自旋轉(zhuǎn)移矩器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化
4.3　本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第5章　自旋軌道矩效應(yīng)及器件
5.1　自旋軌道矩效應(yīng)
5.1.1　自旋軌道耦合
5.1.2　自旋霍爾效應(yīng)
5.1.3　Rashba-Edelstein效應(yīng)
5.1.4　自旋軌道矩翻轉(zhuǎn)的微觀(guān)機(jī)理
5.1.5　自旋軌道矩與自旋轉(zhuǎn)移矩的協(xié)同效應(yīng)
5.2　自旋軌道矩器件的關(guān)鍵材料
5.2.1　非磁性重金屬
5.2.2　反鐵磁性金屬
5.2.3　拓?fù)浣^緣體
5.3　自旋軌道矩器件
5.3.1　面內(nèi)磁各向異性自旋軌道矩器件
5.3.2　面內(nèi)雜散場(chǎng)輔助的自旋軌道矩器件
5.3.3　交換偏置場(chǎng)輔助的自旋軌道矩器件
5.3.4　自旋軌道矩與自旋轉(zhuǎn)移矩協(xié)同器件
5.3.5　自旋軌道矩與電壓調(diào)控磁各向異性協(xié)同器件
5.4　本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第6章　自旋納米振蕩器
6.1　自旋納米振蕩器的基本知識(shí)
6.1.1　自旋納米振蕩器的物理機(jī)理
6.1.2　自旋納米振蕩器的基本結(jié)構(gòu)
6.1.3　自旋納米振蕩器的振蕩模式
6.2　自旋納米振蕩器的工作原理
6.2.1　自旋納米振蕩器的基礎(chǔ)性能
6.2.2　自旋納米振蕩器的同步特性
6.3　基于自旋納米振蕩器的潛在應(yīng)用
6.2.1　基于自旋納米振蕩器的類(lèi)腦計(jì)算
6.2.2　基于自旋納米振蕩器的其他潛在應(yīng)用
6.4　自旋納米振蕩器存在的問(wèn)題與解決方案
6.4.1　自旋納米振蕩器的性能瓶頸
6.4.2　自旋納米振蕩器集成電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性
6.5　本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第7章　斯格明子
7.1　斯格明子背景介紹
7.1.1　斯格明子的定義與拓?fù)浞€(wěn)定性
7.1.2　斯格明子的發(fā)現(xiàn)過(guò)程
7.1.3　斯格明子的研究意義
7.2　斯格明子的研究方法
7.2.1　斯格明子的微磁學(xué)仿真計(jì)算
7.2.2　斯格明子表征的相關(guān)實(shí)驗(yàn)技術(shù)
7.3　斯格明子的材料體系
7.3.1　手性磁體
7.3.2　磁性薄膜
7.3.3　二維范德瓦爾斯材料
7.4　斯格明子電子學(xué)的物理基礎(chǔ)
7.4.1　斯格明子的產(chǎn)生
7.4.2　斯格明子的輸運(yùn)
7.4.3　斯格明子的檢測(cè)
7.5　斯格明子電子器件概念及應(yīng)用
7.5.1　基于斯格明子的傳統(tǒng)器件
7.5.2　基于斯格明子的新型計(jì)算器件
7.6　斯格明子電子學(xué)未來(lái)的發(fā)展與挑戰(zhàn)
7.7　本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第8章　自旋芯片電路設(shè)計(jì)及仿真
8.1　自旋電子器件建模與驗(yàn)證
8.1.1　物理模塊
8.1.2　模型構(gòu)架
8.1.3　模型仿真驗(yàn)證
8.2　自旋電子器件工藝設(shè)計(jì)包
8.2.1　器件單元庫(kù)
8.2.2　工藝文件
8.2.3　版圖驗(yàn)證文件
8.2.4　標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)
8.3　1 KB磁存儲(chǔ)器電路的設(shè)計(jì)與仿真驗(yàn)證
8.3.1　系統(tǒng)架構(gòu)
8.3.2　核心模塊電路
8.3.3　功能仿真驗(yàn)證
8.4　本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第9章　自旋芯片特種設(shè)備及工藝
9.1　器件制備工藝概述
9.1.1　巨磁阻器件制備工藝
9.1.2　磁隧道結(jié)器件制備工藝
9.2膜堆制備設(shè)備及工藝
9.2.1超高真空磁控濺射設(shè)備及工藝
9.2.2磁場(chǎng)退火設(shè)備及工藝
9.3圖形轉(zhuǎn)移設(shè)備及工藝
9.3.1光刻設(shè)備及工藝
9.3.2刻蝕設(shè)備及工藝
9.4器件片上集成工藝
9.4.1　磁隧道結(jié)前處理工藝
9.4.2　磁隧道結(jié)后處理工藝
9.5　本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第　10章 自旋芯片測(cè)試及表征技術(shù)
10.1　磁性表征
10.1.1　磁強(qiáng)計(jì)
10.1.2　磁光克爾測(cè)量?jī)x
10.1.3　鐵磁共振表征技術(shù)
10.1.4　時(shí)間分辨磁光克爾測(cè)量?jī)x
10.1.5　磁光克爾顯微成像及磁疇動(dòng)力學(xué)表征
10.1.6　布里淵光散射裝置
10.1.7　X射線(xiàn)磁圓二色譜
10.2　自旋電子學(xué)表征技術(shù)
10.2.1　自旋輸運(yùn)測(cè)試
10.2.2　磁動(dòng)態(tài)超快電學(xué)特性表征技術(shù)
10.2.3　自旋電子器件中的磁疇動(dòng)力學(xué)表征
10.3　自旋芯片表征
10.3.1　晶圓級(jí)多維度磁場(chǎng)探針臺(tái)
10.3.2　電流面內(nèi)隧穿測(cè)試儀
10.4　本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第　11章 磁傳感芯片及應(yīng)用
11.1　磁傳感芯片基礎(chǔ)
11.1.1　傳感單元
11.1.2　惠斯通電橋結(jié)構(gòu)
11.1.3　傳感器電路
11.2　磁傳感芯片中的噪聲
11.2.1　噪聲來(lái)源
11.2.2　降噪方法
11.3　磁傳感芯片應(yīng)用
11.3.1　電子羅盤(pán)
11.3.2　轉(zhuǎn)速檢測(cè)
11.3.3　電流檢測(cè)
11.3.4　生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)
11.4　本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第　12章 大容量磁記錄技術(shù)
12.1　硬盤(pán)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展
12.1.1　水平磁記錄與垂直磁記錄
12.1.2　硬盤(pán)磁頭
12.1.3　大容量存儲(chǔ)面臨的挑戰(zhàn)
12.2　微波輔助磁記錄
12.2.1　微波輔助磁翻轉(zhuǎn)效應(yīng)
12.2.2　磁記錄系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)
12.2.3　磁記錄系統(tǒng)的設(shè)計(jì)及優(yōu)化
12.3　熱輔助磁記錄
12.3.1　熱輔助磁記錄基本原理
12.3.2　磁記錄系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)
12.3.3　磁記錄系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化
12.4　本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第　13章 磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片及應(yīng)用
13.1磁隨機(jī)存儲(chǔ)器的發(fā)展及現(xiàn)狀
13.2磁場(chǎng)寫(xiě)入磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片
13.2.1磁場(chǎng)寫(xiě)入方法及原理
13.2.2主要應(yīng)用場(chǎng)景
13.2.3發(fā)展現(xiàn)狀與未來(lái)展望
13.3　自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片
13.3.1　發(fā)展歷程
13.3.2　主要應(yīng)用場(chǎng)景
13.3.3　發(fā)展現(xiàn)狀與未來(lái)展望
13.4　自旋軌道矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片
13.4.1　寫(xiě)入機(jī)理
13.4.2　設(shè)計(jì)難點(diǎn)
13.4.3　工藝挑戰(zhàn)
13.4.4　現(xiàn)狀與展望
13.5　本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第　14章 自旋計(jì)算器件與芯片
14.1　存算一體技術(shù)
14.1.1　存算一體技術(shù)簡(jiǎn)介
14.1.2　存算一體技術(shù)方案與挑戰(zhàn)
14.1.3　自旋存算一體技術(shù)
14.2　自旋類(lèi)腦器件及芯片
14.2.1　自旋類(lèi)腦器件
14.2.2　類(lèi)腦計(jì)算模型
14.2.3　類(lèi)腦計(jì)算芯片
14.3　磁旋邏輯器件
14.3.1磁旋邏輯器件的基本結(jié)構(gòu)
14.3.2基于磁電耦合效應(yīng)的信息寫(xiě)入
14.3.3　基于逆自旋霍爾效應(yīng)的信息讀取
14.3.4　磁旋邏輯建模和仿真驗(yàn)證
14.3.5　磁旋邏輯器件展望
14.4　本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)