氮化鎵基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)及二維電子氣

　　GaN基寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有很高的應(yīng)用價(jià)值，是發(fā)展高頻、高功率電子器件*優(yōu)選的半導(dǎo)體材料。本書基于國(guó)內(nèi)外GaN基電子材料和器件的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)，從晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)、襯底材料、外延生長(zhǎng)、射頻電子器件和功率電子器件研制等方面詳細(xì)論述了GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)和二維電子氣的物理性質(zhì)、國(guó)內(nèi)外發(fā)展動(dòng)態(tài)、面臨的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題、主要的材料和器件研發(fā)成果及其應(yīng)用情況和發(fā)展前景。 本書可作為相關(guān)專業(yè)高年級(jí)本科生和研究生的教學(xué)參考用書，可為從事寬禁帶半導(dǎo)體電子材料和器件研發(fā)及生產(chǎn)的科技工作者、企業(yè)工程技術(shù)人員提供參考，也可供從事該領(lǐng)域科研和高技術(shù)產(chǎn)業(yè)管理的企業(yè)家和政府官員使用。

暫缺《氮化鎵基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)及二維電子氣》作者簡(jiǎn)介