硅基鍺材料生長(zhǎng)與器件構(gòu)筑

定　價(jià)：￥46.00

作　者：	陳城釗著
出版社：	哈爾濱工程大學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787566126481	出版時(shí)間：	2020-04-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	99	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《硅基鍺材料生長(zhǎng)與器件構(gòu)筑》是一本硅基鍺材料及其光電器件方面的入門書籍。全書分為三個(gè)部分，首先介紹了硅基鍺材料生長(zhǎng)及器件的基礎(chǔ)知識(shí)；其次闡述了采用低溫緩沖層技術(shù)外延生長(zhǎng)硅基鍺材料，鍺的原位硼（B）和磷（P）摻雜；后探討了硅基鍺PN結(jié)和PIN結(jié)構(gòu)的基本物理特性，并給出相關(guān)特性的定性與定量分析。《硅基鍺材料生長(zhǎng)與器件構(gòu)筑》可作為微電子專業(yè)的本科生及研究生的參考書，也可作為該領(lǐng)域工程技術(shù)人員的參考資料。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《硅基鍺材料生長(zhǎng)與器件構(gòu)筑》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

第1章緒論
1．1 研究背景和意義
1．2 Si基Ge外延生長(zhǎng)的研究進(jìn)展與存在的問題
1．3 Si基Ge材料的器件應(yīng)用與存在的問題
1．4 本書主要內(nèi)容
參考文獻(xiàn)
第2章 Si基Ge材料的外延生長(zhǎng)
2．1 材料生長(zhǎng)系統(tǒng)及表征方法
2．2 高質(zhì)量Si基Ge材料的制備
2．3 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章 Si基Ge材料的原位摻雜
3．1 Si基Ge原位摻雜B和P的理論模型
3．2 Si基Ge材料中B和P的原位摻雜
3．3 退火對(duì)原位P摻雜Ge材料的影響
3．4 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 Ni與Si基n-Ge接觸的熱穩(wěn)定性與電學(xué)特性
4．1 Ni／n-Ge接觸的熱穩(wěn)定性
4．2 Ni／n-Ge接觸的電學(xué)特性
4．3 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 Si基Ge PN結(jié)與PIN結(jié)構(gòu)
5．1 Si基Ge原位摻雜Ge PN結(jié)的制作
5．2 Si基Ge PN結(jié)的I-V特性和C-V特性
5．3 SOI基Ge PIN結(jié)構(gòu)的研制與EL譜
5．4 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
……
第6章總結(jié)與展望