絕緣體上硅（SOI）技術(shù)：制造及應(yīng)用

　　《絕緣體上硅（SOI）技術(shù)：制造及應(yīng)用》的目的是對(duì)SOI CMOS新技術(shù)的進(jìn)展進(jìn)行全面介紹。全書(shū)分為兩部分：*部分介紹SOI晶圓片的制造工藝、表征及SOI器件物理；第二部分介紹相關(guān)的各種應(yīng)用。全書(shū)既涉及部分耗盡SOI這樣已成熟的技術(shù)，也包括全耗盡平面SOI技術(shù)、FinFET、射頻、光電子、MEMS以及超低功耗應(yīng)用這樣一些新發(fā)展的技術(shù)。晶體管級(jí)和電路級(jí)解決方案也均有涉及。我們將這《絕緣體上硅（SOI）技術(shù)：制造及應(yīng)用》的解決方案限定在32~14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的范圍，并將應(yīng)用限定在技術(shù)成熟到足以實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)的范圍。

暫缺《絕緣體上硅（SOI）技術(shù)：制造及應(yīng)用》作者簡(jiǎn)介