太陽(yáng)能光伏理化基礎(chǔ)（第二版）

第1章光資源1
1.1光與光譜1
1.1.1光的本質(zhì)1
1.1.2光波1
1.1.3光譜2
1.2太陽(yáng)光譜能量分布3
1.2.1大氣層外的太陽(yáng)光譜4
1.2.2到達(dá)地面的太陽(yáng)輻射4
1.3太陽(yáng)輻射4
1.3.1太陽(yáng)基本知識(shí)4
1.3.2太陽(yáng)輻射基本概念5
1.3.3地面太陽(yáng)輻射6
1.4全國(guó)光資源分布情況8
本章小結(jié)9
思考題9
第2章原子結(jié)構(gòu)10
2.1氫原子光譜與玻爾理論10
2.1.1氫原子光譜10
2.1.2玻爾理論12
2.2微觀粒子運(yùn)動(dòng)的規(guī)律14
2.2.1波粒二象性14
2.2.2測(cè)不準(zhǔn)原理15
2.2.3波函數(shù)與原子軌道16
2.2.4四個(gè)量子數(shù)17
2.3原子核外電子排布19
2.3.1屏蔽效應(yīng)19
2.3.2穿透效應(yīng)20
2.3.3能級(jí)交錯(cuò)及近似能級(jí)圖20
2.3.4核外電子排布23
本章小結(jié)24
思考題24
第3章化學(xué)鍵與分子結(jié)構(gòu)25
3.1離子鍵25
3.1.1離子鍵的形成25
3.1.2離子鍵的形成條件26
3.1.3離子鍵的特點(diǎn)26
3.1.4離子晶體27
3.1.5離子晶體的結(jié)構(gòu)27
3.2共價(jià)鍵30
3.2.1價(jià)鍵理論30
3.2.2共價(jià)鍵的類(lèi)型31
3.2.3雜化軌道理論32
3.2.4分子晶體和原子晶體35
3.3金屬鍵36
3.3.1金屬鍵的改性共價(jià)理論37
3.3.2金屬鍵的能帶理論37
3.3.3金屬鍵的本質(zhì)38
3.3.4金屬晶體38
本章小結(jié)40
思考題40
第4章晶體的基本知識(shí)41
4.1晶體與非晶體41
4.2晶體的特性42
4.2.1晶體的自限性42
4.2.2晶體的對(duì)稱性43
4.2.3晶體固定的熔點(diǎn)44
4.2.4晶體的均勻性44
4.2.5晶體的各向異性45
4.2.6晶體的解理性45
4.2.7最小內(nèi)能和穩(wěn)定性46
4.2.8X射線衍射特性46
4.3常見(jiàn)晶體的類(lèi)型46
4.3.1晶體的分類(lèi)46
4.3.2常見(jiàn)半導(dǎo)體材料47
4.3.3半導(dǎo)體的摻雜47
4.4空間點(diǎn)陣和晶胞48
4.4.1晶體的微觀描述48
4.4.2晶格的周期性50
4.4.3晶列晶向晶面51
4.4.4晶體結(jié)構(gòu)的分類(lèi)54
4.4.5常見(jiàn)的晶體結(jié)構(gòu)57
4.4.6晶體中原子排列的配位數(shù)和致密度62
本章小結(jié)63
思考題63
第5章晶體缺陷64
5.1概述64
5.2晶體缺陷65
5.2.1點(diǎn)缺陷66
5.2.2線缺陷68
5.2.3面缺陷74
5.2.4體缺陷76
5.3晶硅中的缺陷及其影響77
5.3.1氧雜質(zhì)及其影響77
5.3.2碳雜質(zhì)及其影響79
5.3.3氫雜質(zhì)及其影響79
5.3.4金屬雜質(zhì)及其影響80
5.3.5位錯(cuò)及其影響81
5.3.6晶界及其影響81
本章小結(jié)82
思考題82
第6章半導(dǎo)體材料性能84
6.1半導(dǎo)體的特性84
6.1.1正格子和倒格子84
6.1.2波函數(shù)85
6.1.3半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶86
6.1.4半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)91
6.2熱平衡載流子94
6.2.1狀態(tài)密度94
6.2.2統(tǒng)計(jì)規(guī)律95
6.2.3費(fèi)米分布函數(shù)和費(fèi)米能級(jí)95
6.2.4導(dǎo)帶中的電子濃度和價(jià)帶中的空穴濃度97
6.2.5非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體98
6.2.6本征載流子濃度99
6.2.7雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度100
6.2.8簡(jiǎn)并半導(dǎo)體103
6.3非平衡載流子104
6.3.1準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)104
6.3.2半導(dǎo)體的光吸收105
6.3.3非平衡載流子的壽命109
6.3.4復(fù)合過(guò)程110
6.4載流子的輸運(yùn)113
6.4.1漂移運(yùn)動(dòng)114
6.4.2遷移率115
6.4.3擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)115
6.4.4電流密度方程，愛(ài)因斯坦關(guān)系式117
6.4.5泊松方程118
6.4.6連續(xù)性方程119
6.5PN結(jié)及其特性圖120
6.5.1空間電荷區(qū)與接觸電勢(shì)差120
6.5.2PN結(jié)的電場(chǎng)強(qiáng)度122
6.5.3PN結(jié)的電勢(shì)分布123
6.5.4空間電荷區(qū)寬度123
6.5.5PN結(jié)內(nèi)電荷流動(dòng)的定性描述124
6.5.6理想的電流-電壓關(guān)系124
6.5.7電流電壓關(guān)系的非理想因素127
6.6PIN結(jié)128
6.7金屬-半導(dǎo)體接觸129
6.7.1金屬-半導(dǎo)體接觸130
6.7.2歐姆接觸131
6.8半導(dǎo)體-半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)132
本章小結(jié)134
思考題134
第7章光伏電池性能135
7.1光伏發(fā)電原理135
7.1.1光伏行為來(lái)源135
7.1.2光生伏特效應(yīng)137
7.1.3光伏電池的I-V特性138
7.2光伏電池性能表征139
7.3光伏電池的效率140
7.4光伏電池效率分析142
7.4.1禁帶寬度的影響142
7.4.2溫度的影響142
7.4.3壽命和擴(kuò)散長(zhǎng)度的影響143
7.4.4寄生電阻的影響143
7.5晶硅光伏產(chǎn)業(yè)鏈概述145
7.5.1硅材料的冶煉145
7.5.2高純度多晶硅的提純146
7.5.3直拉單晶硅棒146
7.5.4鑄造多晶硅錠147
7.5.5硅片加工148
7.5.6晶硅電池及組件制備148
7.5.7光伏發(fā)電系統(tǒng)149
本章小結(jié)150
思考題150
第8章光伏電池的化學(xué)反應(yīng)151
8.1酸反應(yīng)151
8.1.1硅錠（棒）材料清洗過(guò)程中的酸腐蝕反應(yīng)151
8.1.2硅片清洗過(guò)程的酸反應(yīng)151
8.1.3光伏電池制備工藝中的酸反應(yīng)152
8.2堿反應(yīng)153
8.2.1硅錠（棒）材料清洗過(guò)程中的堿腐蝕反應(yīng)153
8.2.2硅片清洗過(guò)程的堿反應(yīng)153
8.2.3光伏電池制備工藝中的堿反應(yīng)153
8.3其他化學(xué)反應(yīng)153
8.3.1多晶硅原料制備中的化學(xué)反應(yīng)153
8.3.2晶硅電池?cái)U(kuò)散工序中的化學(xué)反應(yīng)155
8.3.3晶硅電池PECVD工序中的化學(xué)反應(yīng)156
本章小結(jié)156
思考題156
第9章其他新型太陽(yáng)電池的理論知識(shí)157
9.1GaAs電池157
9.1.1GaAs的晶體結(jié)構(gòu)157
9.1.2GaAs的能帶結(jié)構(gòu)158
9.1.3GaAs的遷移率和飽和漂移速度159
9.1.4GaAs晶體的缺陷和位錯(cuò)159
9.1.5GaAs晶體的雜質(zhì)160
9.1.6砷化鎵太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)和制備方法161
9.2CdTe電池162
9.2.1CdTe材料的基本性質(zhì)162
9.2.2CdTe太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)和工作原理163
9.2.3CdTe太陽(yáng)電池制備工藝165
9.3CIGS電池166
9.3.1CIGS材料的基本性質(zhì)166
9.3.2CIGS太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)和工作原理167
9.3.3CIGS太陽(yáng)電池制備工藝168
9.4有機(jī)太陽(yáng)電池169
9.4.1有機(jī)高分子太陽(yáng)電池169
9.4.2染料敏化太陽(yáng)電池171
9.4.3鈣鈦礦太陽(yáng)電池173
本章小結(jié)175
思考題175
參考文獻(xiàn)176