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微電子器件

定　價：￥55.00

作　者：	曾云，楊紅官
出版社：	機械工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111529309	出版時間：	2016-03-01	包裝：
開本：	16開	頁數(shù)：	283	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書共分為11童，其中，第1章介紹了半導體晶體的能帶、結構和載流子分布規(guī)律；第2章和第3章描述了pn結二極管、變?nèi)荻O管、隧道二極管、肖特基二極管和雪崩二極管的特性與工作機理：第4~6章詳細地論述了晶體管的工作機理及其直流特性、頻率特性、開關特性與功率特性；第7童給出了晶閘管的結構、原理及其導通、阻斷、關斷特性；第8章和第9章講述了MOS場效應晶體管的結構、原理與特性，以及納米級MOS器件，包括SOI結構、雙柵結構、納米線結構等；第10童論述了異質(zhì)結雙極晶體管、GaAs MESFET和高電子遷移率晶體管的工作原理和基本特性；第1 1套介紹了光電池、光敏晶體管和電荷耦合器件。本書可作為高等院校電子信息、電子科學與技術、光電信息科學與技術專業(yè)的本科生教材，教師可根據(jù)專業(yè)和課時要求選學部分章節(jié)。本書亦可作為相關專業(yè)科研人員和工程技術人員的參考用書。

作者簡介

暫缺《微電子器件》作者簡介

圖書目錄

前言
教學建議
第1章微電子器件物理基礎
1.1半導體的晶體結構與能帶
1.1.1 半導體的晶體結構
1.1.2 半導體能帶圖
1.1.3 半導體品格缺陷
及其能級
1.2半導體中載流子的統(tǒng)計分布
1.2.1 狀態(tài)密度函數(shù)與統(tǒng)計
分布函數(shù)
1.2.2 本征載流子
1.2.3 非本征載流子
1.3 半導體中載流子的輸運規(guī)律
1.3.1 載流子的產(chǎn)生與復合
1.3.2 載流子的漂移運動
1.3.3 載流子的擴散運動
1.3.4 載流子的輸運方程
習題
第2章 pn結二極管
2..1 pn結雜質(zhì)濃度分布
2.2平衡pn結
2.2.1 空間電荷區(qū)
2.2.2 能帶圖
2.2.3 接觸電勢差一
2.2.4 載流子濃度一
2.3 pn結的空間電荷區(qū)電場
和電位分布
2.3.1 突變結
2.3.2 線性緩變結
2.3.3 耗盡層近似
2.4 pn結勢壘電容
2.4.1 突變結勢壘電容
2.4.2 線性緩變結勢壘電容
2.5 pn結直流特性
2.5.1 非平衡載流子的注入
2.5.2 反向抽取
2.5.3 準費米能級和載流子濃度
2.5.4直流電流電壓方程
2.5.5影響pn結直流特性的
其他因素
2.5.6溫度對pn結電流和電壓
的影響
2.6 pn結小信號交流特性與
開關特性
2.6.1 小信號交流特性
2.6.2 開關特性
2.7 pn結擊穿特性
2.7.1 基本擊穿機構
2.7.2 雪崩擊穿電壓
2.7.3 影響雪崩擊穿電壓的
因素
習題
第3章特殊二極管
3.1變?nèi)荻O管
3.1.1 pn結電容
3.1.2 電容電壓特性
3.1.3 變?nèi)荻O管基本特性
3.1.4 特殊變?nèi)荻O管
3.2 隧道二極管
第4章晶體管直流特性
第5章晶體管頻率特性與開關特性
第6章晶體管功率特性
第7章晶閘管
第8章MOSFET
第9章納米級MOS器件
第10章半導體異質(zhì)結器件
第11章光電器件與電荷耦合器件
附錄
參考文獻