集成電路制造技術(shù)

第1章集成電路制造概述11.1半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展概述11.2半導(dǎo)體材料基礎(chǔ)41.3半導(dǎo)體生產(chǎn)污染控制111.4純水的制備15第2章多晶半導(dǎo)體的制備202.1工業(yè)硅的生產(chǎn)202.2三氯氫硅還原制備高純硅212.3硅烷熱分解法制備高純硅26第3章單晶半導(dǎo)體的制備303.1單晶硅的基本知識(shí)303.2直拉法制備單晶硅的設(shè)備及材料353.3直拉單晶硅的工藝流程433.4拉單晶過(guò)程中的異常情況及晶棒檢測(cè)483.5懸浮區(qū)熔法制備單晶硅573.6化合物半導(dǎo)體單晶的制備59第4章晶圓制備644.1晶圓制備工藝644.2晶圓的清洗、質(zhì)量檢測(cè)及包裝72第5章薄膜制備775.1氧化法制備二氧化硅膜775.2化學(xué)氣相沉積法制備薄膜835.3物理氣相沉積法制備薄膜885.4金屬化及平坦化90第6章金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積966.1金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積概述966.2金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積設(shè)備1006.3金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積工藝控制和半導(dǎo)體薄膜的生長(zhǎng)1076.4金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)的半導(dǎo)體薄膜質(zhì)量檢測(cè)109第7章光刻1137.1光刻概述1137.2光刻工藝120第8章刻蝕1358.1刻蝕技術(shù)概述1358.2干法刻蝕1418.3等離子體刻蝕1448.4反應(yīng)離子刻蝕與離子束濺射刻蝕1518.5濕法刻蝕154第9章?lián)诫s1599.1熱擴(kuò)散1599.2離子注入技術(shù)165參考文獻(xiàn)172