太赫茲光學差頻源

叢書序
序言
前言
第1章 概述
1．1 太赫茲波
1．2 太赫茲輻射特性
1．2．1 極性分子指紋識別性
1．2．2 非極性分子透視性
1．2．3 人體的安全性
1．2．4 頻帶與波長雙優(yōu)勢性
1．3 太赫茲技術(shù)應(yīng)用
1．3．1 太赫茲天文探測
1．3．2 太赫茲遙感
1．3．3 太赫茲成像
1．3．4 太赫茲光譜
1．3．5 太赫茲通信
1．3．6 太赫茲雷達
1．4 國內(nèi)外研究發(fā)展狀況
1．5 太赫茲的產(chǎn)生
1．5．1 光學產(chǎn)生方法
1．5．2 電子學產(chǎn)生方法
1．6 太赫茲探測技術(shù)
1．6．1 直接探測
1．6．2 外差探測
1．7 太赫茲產(chǎn)生和探測方法比較
參考文獻
第2章 非線性光學差頻及參量產(chǎn)生理論
2．1 非線性差頻的三波耦合方程
2．1．1 介質(zhì)中的非線性波動方程
2．1．2 太赫茲差頻輻射的耦合波方程
2．1．3 太赫茲差頻輻射功率及Manley-Rowe關(guān)系
2．2 相位匹配
2．2．1 雙折射效應(yīng)相位匹配
2．2．2 準相位匹配
2．2．3 非共線相位匹配
2．2．4 部分各向同性晶體共線相位匹配
2．3 太赫茲參量產(chǎn)生作用原理
參考文獻
第3章 摻鎂鈮酸鋰晶體太赫茲參量產(chǎn)生源
3．1 太赫茲參量源研究背景
3．2 鈮酸鋰晶體光學性質(zhì)
3．3 鈮酸鋰晶體參量輻射產(chǎn)生原理
3．4 鈮酸鋰晶體參量輻射產(chǎn)生數(shù)值計算
3．5 摻鎂鈮酸鋰晶體太赫茲參量產(chǎn)生源實驗研究
3．5．1 太赫茲參量產(chǎn)生源實驗配置
3．5．2 太赫茲參量產(chǎn)生實驗結(jié)果與分析
參考文獻
第4章 各向同性晶體太赫茲共線差頻源
4．1 各向同性半導體共線差頻理論分析
4．2 各向同性晶體室溫共線太赫茲共線差頻實驗
4．2．1 差頻泵浦源介紹
4．2．2 各向同性晶體太赫茲共線差頻實驗光路圖
4．3 基于碲化鎘晶體室溫太赫茲共線差頻研究
4．3．1 碲化鎘晶體太赫茲共線差頻輻射理論分析
4．3．2 碲化鎘晶體太赫茲共線差頻輻射實驗結(jié)果及分析
4．4 基于磷化鎵晶體室溫共線太赫茲差頻實驗研究
4．4．1 本征磷化鎵晶體太赫茲共線差頻輻射理論分析
4．4．2 磷化鎵晶體太赫茲共線差頻輻射實驗結(jié)果及分析
4．5 基于n型磷化鎵晶體變溫共線太赫茲差頻實驗
4．5．1 n型磷化鎵晶體變溫太赫茲共線差頻實驗光學系統(tǒng)
4．5．2 n型磷化鎵晶體變溫太赫茲共線差頻實驗結(jié)果及分析
參考文獻
第5章 相位失配與材料吸收對太赫茲差頻功率的影響
5．1 實驗模型
5．2 相位匹配且無晶體吸收條件下的情形
5．3 相位匹配但有晶體吸收條件下的情形
5．4 相位失配但無晶體吸收條件下的情形
5．5 相位失配并有晶體吸收條件下的情形
參考文獻
第6章 硒化鎵及摻硫硒化鎵晶體太赫茲差頻源
6．1 硒化鎵及摻雜晶體光學性質(zhì)
6．1．1 硒化鎵晶體性質(zhì)
6．1．2 摻硫硒化鎵晶體性質(zhì)
6．2 硒化鎵差頻產(chǎn)生中紅外的實驗研究
6．2．1 差頻參數(shù)理論分析
6．2．2 差頻實驗結(jié)果
6．3 硒化鎵差頻產(chǎn)生太赫茲波的實驗研究
6．3．1 實驗配置
6．3．2 實驗結(jié)果與分析
6．4 摻硫硒化鎵晶體太赫茲共線差頻實驗研究
6．4．1 摻硫硒化鎵晶體差頻理論分析
6．4．2 摻硫硒化鎵晶體太赫茲共線差頻實驗
6．4．3 太赫茲共線差頻實驗結(jié)果及分析
6．5 太赫茲傳輸特性研究
6．5．1 太赫茲差頻源遠距離探測
6．5．2 太赫茲目標特性研究
6．6 基于外部級聯(lián)二次差頻提高太赫茲波轉(zhuǎn)換效率的分析
參考文獻
第7章 多種其他晶體太赫茲差頻特性
7．1 材料基本特性
7．1．1 ZnGeP2 晶體
7．1．2 CdSe晶體
7．1．3 AgGaS2 晶體
7．1．4 AgGaSe2 晶體
7．2 太赫茲差頻特性
7．2．1 相位匹配角
7．2．2 有效非線性系數(shù)
7．2．3 走離角
7．2．4 允許角
7．3 晶體品質(zhì)因數(shù)比較
參考文獻
索引
后記