材料分析技術(shù)

前言
第一章 緒論
第二章 接觸角在表面分析中的應(yīng)用
2.1 引言
2.2 接觸角測量
2.2.1 靜態(tài)和動態(tài)靜滴法
2.2.2 Wilhelmy平板法
2.2.3 封閉氣泡法
2.2.4 毛細管上升法
2.2.5 傾斜基底法
2.3 均勻固體表面能的確定
2.3.1 表面張力組成
2.3.2 物態(tài)方程
2.4 研究實例
2.4.1 ?？怂梗‵owkes）
2.4.2 無定形碳的表面能的研究實例
2.5 小結(jié)
參考文獻
第三章 x射線光電子能譜和俄歇電子能譜
3.1 緒論
3.2 原子模型和原子的電子結(jié)構(gòu)
3.2.1 能級
3.2.2 自旋一軌道劈裂
3.2.3 平均自由程
3.3 XPS和AES工作原理
3.3.1 光致電離
3.3.2 俄歇電子的產(chǎn)生
3.3.3 背景消除
3.3.4 XPS的化學(xué)位移現(xiàn)象
3.3.5 定量分析
3.3.6 線形
3.3.7 深度分布
3.4 儀器設(shè)備
3.4.1 真空系統(tǒng)
3.4.2 X射線源
3.4.3 單色儀
3.4.4 電子束的產(chǎn)生
3.4.5 分析器
3.4.6 電子探測器
3.4.7 通道式電子倍增器
3.4.8 多通道板
3.4.9 樣品
3.4.10 附件
3.5 XPS技術(shù)的常規(guī)缺陷
3.5.1 定量精度
3.5.2 分析時間
3.5.3 探測極限
3.5.4 分析區(qū)域限制
3.5.5 樣品尺寸限制
3.5.6 檢測造成的樣品畸變
3.5.7 俄歇電子能譜（AES）、X射線光電子能譜（XPS）和能譜儀（EDS）的比較
3.6 XPS應(yīng)用及實例分析
3.6.1 摻雜效應(yīng)的測定
3.6.2 化學(xué)反應(yīng)的檢測
3.6.3 化學(xué)共價性的檢測
3.6.4 深度分析
3.6.5 譜峰重疊問題
3.6.6 檢測薄膜組成
3.7 AES的應(yīng)用
3.7.1 材料表面元素的識別
3.7.2 元素濃度和化學(xué)計量的檢測
3.7.3 強度與時間關(guān)系曲線
3.7.4 化學(xué)位移
3.7.5 線形變化
3.7.6 深度分析
3.8 總結(jié)
參考文獻
第四章 掃描隧道顯微鏡和原子力顯微鏡
4.1 引言
4.2 工作原理
4.2.1 掃描隧道顯微鏡
4.2.2 原子力顯微鏡
4.3 儀器
4.3.1 針尖和微懸臂
4.3.2 壓電掃描器
4.3.3 隔振
4.3.4 分辨率
4.4 操作模式
4.4.1 掃描隧道顯微鏡
4.4.2 原子力顯微鏡
4.5 STM與AFM的差異
4.6 應(yīng)用
4.6.1 STM研究
4.6.2 AFM研究
參考文獻
第五章 x射線衍射
5.1 X射線的特性與產(chǎn)生
5.2 晶面和布拉格（Bragg）定律
5.3 粉末衍射法
5.4 薄膜衍射法
5.5 結(jié)構(gòu)測量
5.6 掠射角X射線衍射法
參考文獻
第六章 透射電子顯微鏡
6.1 透射電子顯微鏡基礎(chǔ)
6.2 倒易晶格
6.3 樣本制備
6.4 明場像和暗場像
6.5 電子能量損失能譜
參考文獻
第七章 掃描電子顯微鏡
7.1 掃描電子顯微鏡介紹
7.1.1 歷史背景
7.1.2 掃描電子顯微鏡原理
7.2 電子束與樣品的相互作用
7.2.1 背散射電子
7.2.2 二次電子
7.2.3 特征x射線和俄歇電子
7.3 掃描電子顯微鏡操作參數(shù)
7.3.1 概論
7.3.2 掃描電子顯微鏡特性
7.3.3 掃描電子顯微鏡的操作參數(shù)
7.4 應(yīng)用
7.4.1 掃描電子顯微鏡在合成金剛石薄膜中的應(yīng)用
7.4.2 掃描電子顯微鏡在電子設(shè)備中的應(yīng)用
7.4.3 掃描電子顯微鏡在合成SiC涂層上的應(yīng)用
7.4.4 金剛石涂層的wC-Co襯底的掃描電子顯微鏡分析
參考文獻
第八章 色譜分析
8.1 引言
8.2.色譜法基本原理
8.2.1 色譜法的分類
8.2.2 分離模式和機制
8.2.3 分配和保留時間的基本原理
8.3 離子交換色譜法
8.3.1 影響離子交換色譜分離的因素
8.3.2 蛋白質(zhì)分離
8.4 凝膠滲透色譜法
8.4.1 分子和分子量分布
8.4.2 凝膠滲透色譜的操作
8.4.3 聚合物標準物和校正曲線
8.4.4 樣品的制備
8.4.5 凝膠滲透色譜應(yīng)用于水溶性的聚合物
第九章 紅外光譜及紫外線-可見光譜
第十章 宏觀和微觀熱分析
第十一章 激光共焦熒光顯微鏡
英漢詞匯對照