硅材料檢測(cè)技術(shù)

第1章 硅單晶常規(guī)電學(xué)參數(shù)的物理測(cè)試
　1.1 半導(dǎo)體硅單晶導(dǎo)電類型的測(cè)量
　1.2 半導(dǎo)體硅單晶電阻率的測(cè)量
　1.3 非平衡少數(shù)載流子壽命的測(cè)量
　本章小結(jié)
　習(xí)題
第2章 化學(xué)腐蝕法檢測(cè)晶體缺陷
　2.1 半導(dǎo)體晶體的電化學(xué)腐蝕機(jī)理及常用腐蝕劑
　2.2 半導(dǎo)體單晶中的缺陷
　2.3 硅單晶中位錯(cuò)的檢測(cè)
　2.4 硅單晶中漩渦缺陷的檢測(cè)
　2.5 化學(xué)工藝中的安全知識(shí)
　2.6 金相顯微鏡簡(jiǎn)介
　本章小結(jié)
　習(xí)題
第3章 半導(dǎo)體晶體定向
　3.1 晶體取向的表示方法
　3.2 光圖定向
　3.3 X射線定向
　本章小結(jié)
　習(xí)題
第4章 紅外吸收法測(cè)定硅單晶中的氧和碳的含量、多晶硅中基硼、基磷含量的檢驗(yàn)
　4.1 測(cè)量原理
　4.2 測(cè)試工藝和方法
　4.3 測(cè)準(zhǔn)條件分析
　4.4 多晶硅中基硼、基磷含量的檢驗(yàn)
　本章小結(jié)
　習(xí)題
第5章 純水的檢測(cè)
　5.1 純水在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的應(yīng)用
　5.2 離子交換法制備純水的原理
　5.3 離子交換法制備純水
　5.4 純水制備系統(tǒng)主要設(shè)備及工作原理
　5.5 純水制備系統(tǒng)運(yùn)行控制
　5.6 純水制備系統(tǒng)的清洗
　5.7 高純水的檢測(cè)
　本章小結(jié)
　習(xí)題
第6章 高純分析方法
　6.1 三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的化學(xué)光譜測(cè)定
　6.2 三氯氫硅(四氯化硅)中硼的分析
　6.3 三氯氫硅(四氯化硅)中痕量磷的氣相色譜測(cè)定
　6.4 工業(yè)硅中鐵、鋁含量的測(cè)定
　6.5 露點(diǎn)法測(cè)定氣體中的水分
　6.6 氣相色譜法測(cè)定干法H2的組分
　6.7 氯化氫中水分的測(cè)定
　6.8 液氯中水分的測(cè)定
　本章小結(jié)
　習(xí)題
第7章 其他物理檢測(cè)儀器簡(jiǎn)介
　7.1 X射線形貌技術(shù)
　7.2 質(zhì)譜分析
　7.3 中子活化分析
　7.4 電子顯微鏡
參考文獻(xiàn)