SiGe 微電子技術(shù)

定　價(jià)：￥55.00

作　者：	徐世六主編
出版社：	國(guó)防工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	半導(dǎo)體技術(shù)

購(gòu)買這本書可以去

ISBN：	9787118052527	出版時(shí)間：	2007-09-01	包裝：	平裝
開本：	0開	頁(yè)數(shù)：	401	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書以器件和集成電路為軸線，從基本概念到器件的原理、設(shè)計(jì)、制造和電路應(yīng)用。比較全面地介紹了新近發(fā)展起來的SiGe微電子技術(shù)。全書共九章，內(nèi)容涉及SiGe材料的性質(zhì)、SiGe材料的制備、SiGe異質(zhì)結(jié)構(gòu)、SiGe異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管、SiGe場(chǎng)效應(yīng)晶體管、SiGe集成電路、SiGe器件及其電路的發(fā)展動(dòng)態(tài)等，并對(duì)SiGe在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用作了簡(jiǎn)明的介紹。講述簡(jiǎn)明扼要，并反映出了最新的研究成果和發(fā)展趨勢(shì)。本書可供在半導(dǎo)體器件、集成電路和相關(guān)領(lǐng)域工作的科技工作者參考，也可作為微電子技術(shù)、光電子技術(shù)、電子材料、電子元器件、電子物理、電子工程等領(lǐng)域大學(xué)本科生及研究生的教材。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《SiGe 微電子技術(shù)》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

第一章 SiGe技術(shù)的發(fā)展及其應(yīng)用概述
1.1 SiGe器件
1.1.1 SiGe雙極型器件
1.1.2 SiGe場(chǎng)效應(yīng)器件
1.1.3 SiGe光電器件
1.1.4其他SiGe器件
1.2 SiGe-HBT的主要應(yīng)用
1.2.1 SiGe放大器
1.2.2 SiGe-A/D轉(zhuǎn)換器
1.2.3 SiGe振蕩器
1.2.4 SiGe混頻器和倍增器、倍減器
1.2.5 SiGe-HBT的其他應(yīng)用
　1.3 IBMSiGe技術(shù)的早期歷史
1.3.1 SiGe技術(shù)的起源
1.3.2 SiGe-UHV/CVD技術(shù)的發(fā)明
1.3.3 最早采用UHV/CVD技術(shù)制作的Si外延基區(qū)晶體管
1.3.4 IBM最早的SiGe基區(qū)晶體管
1.3.5 PNP-SiGe晶體管
1.3.6 fT為75GHZ的SiGe基區(qū)晶體管
1.3.7 SiGe外延基區(qū)晶體管（ETX）
1.3.8 SGe技術(shù)的后續(xù)工作
　1.4 SiGe的主要廠商、工藝及代表產(chǎn)品
1.4.1 SiGe技術(shù)的兩種主要工藝
1.4.2 IBM的SiGe—BiCMOS工藝及產(chǎn)品
1.4.3 Atmel的SiGe技術(shù)
1.4.4 Maxim的SiGe技術(shù)
1.4.5 Jazz半導(dǎo)體公司的SiGe技術(shù)
1.4.6 TSMC（臺(tái)積電）的SiGe技術(shù)
1.4.7 SiGe半導(dǎo)體公司
1.4.8 Sirerm.Microdevices的SiGe技術(shù)
　1.5 SiGe技術(shù)的市場(chǎng)和前景
　1.6 SiGe薄膜的制備工藝概述
　1.7 開發(fā)SiGe-HBT工藝的途徑
1.7.1 采用低溫外延技術(shù)淀積SiGe
1.7.2 SiGe—BiCMOS的工藝集成
1.7.3 SiGe-HBT的制作
1.7.4 其他元件的工藝技術(shù)
　1.8 SiGe技術(shù)的國(guó)內(nèi)發(fā)展動(dòng)態(tài)
　參考文獻(xiàn)
第二章 Si1-xGex的基本物理特性
　2.1 Si1-xGex合金的晶格和一般性質(zhì)
2.1.1 Si1-xGex合金的相圖
2.1.2 Si1-xGex合金的晶體
　……
第三章應(yīng)變硅技術(shù)原理
第四章 SiGe異質(zhì)結(jié)構(gòu)
第五章 SiGe材料的主要制備技術(shù)
第六章 Si-SiGe異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管
第七章 Si-SiGe異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
第八章應(yīng)變硅器件與電路
第九章 SiGe在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用