半導體測試技術原理與應用

定　價：￥28.00

作　者：	劉新福、杜占平、李為民
出版社：	冶金工業(yè)
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787502441012	出版時間：	2007-01-01	包裝：	平裝
開本：	0開	頁數(shù)：	304	字數(shù)：

內容簡介

　　本書在介紹電學參數(shù)測試原理的基礎上，重點介紹了具有國際先進水平的國內外首臺微區(qū)電阻率測試儀原理與應用，具有很高的實際應用價值。全書共分11章，1-6章討論了微區(qū)電學參數(shù)測試的重要性，綜述了當今已研究出來的各種半導體測試方法的特點；詳細分析四探針測量技術的基本原理，重點討論常規(guī)直線四探針法、改進范德堡法和改進Rymasze-wski四探針測試方法；研究四探針測試技術中的共性問題，介紹了以較高的定位精度進行大型硅片的無圖形等間距測量的原理。7-11章重點討論了測試技術在材料科學等領域的分析與應用及無接觸測量技術。

作者簡介

暫缺《半導體測試技術原理與應用》作者簡介

圖書目錄

1　半導體微區(qū)電阻測量技術
　1.1　微區(qū)電阻測試相關因素分析
　1.2　國內外薄層電阻測試方法綜述
　1.3　圖像處理與分析及共在半導體薄層電阻測量中的應用
　參考文獻
2　四探針技術測量薄層電阻的原理分析
　2.1　國探針測試技術概述
　2.2　常規(guī)直線四探針法
　2.3　改進的范德堡法
　2.4　斜置式方形Rymaszewski四探針法
　2.5　小結
　參考文獻
3　四探針測試技術中的共性問題
　3.1　測試探針
　3.2　測試設備的校準及環(huán)境對測量的影響
　3.3　四探針測試中的邊緣修正問題
　3.4　小結
　參考文獻
4　四探針儀測控系統(tǒng)及其實現(xiàn)
　4.1　機械系統(tǒng)設計
　4.2　四探針儀測試系統(tǒng)設計
　4.3　光學監(jiān)視系統(tǒng)
　4.4　小結
　參考文獻
5　游移對測試結果的影響及測量薄層電阻的改進Rymaszewski方法
　5.1　方形四探針測試中探針游針對測試結果造成的誤差分析
　5.2　方形國探針法與常規(guī)直線四探針法游移造成誤差的對比分析
　5.3　用改進的Rymaszewski公式及方形四探針法測定微區(qū)的方電阻
　5.4　小結
　參考文獻
6　探針圖像預處理及邊緣檢測
7　探針的圖像侵害、定位控制與檢測精度分析
8　電阻率的無接觸測量及自動測試技術
9　高電阻率材料的電學參數(shù)測量
10　掃描電子顯微鏡及其在半導體測試技術中的應用
11　外延片的物理測試