半導體器件：電力、敏感、光子、微波器件

第一篇電力電子器件
第1章電力電子器件概述
1.1電力電子學與電力半導體
1.2電力器件的分類
1.3電力器件的基本應用
第2章晶閘管
2.1晶閘管的基本結構.等效電路及特性
2.2晶閘管的工作原理
一.pnpn器件的導通物理過程
二.晶閘管的導通機理
三.觸發(fā)機構
2.3阻斷模式
一.雪崩擊穿與穿通效應
二.晶閘管的最佳反向阻斷電壓
三.晶閘管的正向阻斷電壓
四.晶閘管的最小長基區(qū)寬度wn(min)
2.4表面成型技術
一.半導體表面理論的幾種基本觀點
二.正斜角.負斜角及電場分布
三.電力器件的表面成型
2.5門極特性
一.門極模型
二.晶閘管的短基區(qū)寬度
2.6通態(tài)特性及功率損耗
一.正向傳導模式
二.晶閘管的通態(tài)電壓
三.晶閘管的功耗及熱學設計
2.7動態(tài)特性
一.開通特性
二.耐量
三.效應
四.關斷過程
第3章特殊型晶閘管
3.1雙向晶閘管
一.雙向晶閘管的基本結構及特性
二.觸發(fā)方式及其原理
三.雙向晶閘管的有關特性
3.2逆導晶閘管
一.逆導晶閘管的結構及特點
二.逆導晶閘管的工作原理及換流特性
三.改善換流特性的措施
3.3光控晶閘管
一.概述
二.光控晶閘管的工作原理
三.光觸發(fā)靈敏度及光敏區(qū)結構
四.LTT的光源
3.4GTO
一.概述
二.GTO的工作原理
三.GTO的結構
第4章現(xiàn)代電力電子器件
4.1功率MOSFET
一.功率MOSFET的基本結構和工作原理
二.功率MOSFET的主要特性
4.2IGBT及其應用
一.IGBT的基本結構及工作原理
二.IGBT的擎住現(xiàn)象
三.IGBT的特性及應用中的幾個問題
4.3MOS控制晶閘管
一.MCT的基本結構及工作原理
二.MCT的主要特點4.4GCT與IEGT
一.GCT（GateCommutatedTurnoff）
二.可耐高壓的IEGT
4.5功率集成電路(PIC)
一.單片三相逆變器IC
二.工藝方法.器件技術
三.介質(zhì)隔離的功率IC及特征
4.6SiC功率器件
一.期待中的SiC器件
二.器件電特性與物理參
數(shù)的關系
參考文獻
習題一
第二篇半導體敏感器件
第5章敏感器件概論
5.1傳感器及其分類
5.2敏感器件所用材料
一.半導體材料的敏感特性
二.非晶硅半導體
三.金屬氧化物半導體
四.傳感器用光纖材料
5.3敏感器件的研究方向
第6章半導體溫敏器件
6.1溫度傳感器的發(fā)展
6.2半導體陶瓷熱敏電阻
一.半導體陶瓷熱敏電阻的種類和參數(shù)
二.NTC熱敏電阻
三.PTC熱敏電阻
6.3Ge.Si及SiC單晶熱敏電阻
一.Ge.Si單晶熱敏電阻
二.SiC熱敏電阻
6.4pn結及晶體管溫敏器件
一.pn結正向電壓的溫度特性
二.晶體管溫度敏感器
三.SiCpn結溫度敏感器件
6.5集成溫度傳感器
第7章半導體力敏器件
7.1力學量和力敏器件
7.2半導體壓阻效應
一.壓阻效應
二.應變靈敏度
三.壓阻系數(shù)
7.3電阻式硅膜片壓力敏感器件
一.電橋原理
二.膜片形狀及電阻配置
三.材料的導電類型及晶向
四.芯片尺寸
五.力敏電阻的設計
7.4壓敏二極管及壓敏晶體管
一.壓敏二極管
二.壓敏晶體管
7.5集成壓力傳感器
7.6力敏傳感器的應用
第8章半導體磁敏器件
8.1霍爾器件
一.霍爾效應
二.霍爾器件的結構和工藝
三.參數(shù)與特性
四.霍爾器件的設計考慮
8.2磁阻器件
一.磁阻效應
二.設計與制作
8.3磁敏二極管
一.工作原理及結構尺寸
二.基本特性
8.4磁敏晶體管
一.長基區(qū)磁敏三極管
二.磁敏MOSFET
8.5磁敏集成電路
8.6磁敏器件的應用
第9章半導體離子敏感器件
9.1ISFET的特點與應用
9.2基本工作原理
9.3ISFET的設計和工藝
一.FET的設計特點
二.離子敏感膜的類型和制備
9.4ISFET的特性和參數(shù)
9.5生物膜敏感器件
9.6多功能集成ISFET
第10章半導體濕敏器件
10.1濕度和濕敏器件
10.2濕敏器件的基本特性
10.3氧化物半導體濕敏器件
10.4氧化鋁及高分子濕敏器件
一.A12O3濕敏器件的結構和工藝
二.多孔膜的感濕機理
三.濕敏特性
四.高分子濕敏器件
10.5MOS濕敏器件及集成化
10.6濕敏器件的應用
第11章半導體氣敏器件
11.1氣敏器件的類型
11.2氧化物半導體氣敏元件
一.敏感機理
二.特性及影響因素
三.常見陶瓷氣敏元件
11.3半導體氣敏二極管
11.4MOSFET氣敏器件及多功能集成氣敏器件
一.H2敏MOSFET
二.CO敏MOSFET
三.氣敏器件的多功能化.集成化
11.5氣敏器件的應用
參考文獻
習題二
第三篇半導體光子器件
第12章半導體太陽電池
12.1半導體太陽電池的光生伏特效應
一.光伏效應的兩個基本條件
二.等效電路.伏安特性及輸出特性
12.2太陽電池的光電轉換效率
一.太陽輻射光譜AM0和AM15
二.太陽電池的理論效率
三.影響太陽電池效率的一些因素
12.3高效率太陽電池的發(fā)展
一.高效率硅太陽電池的發(fā)展
二.高效.長壽命砷化鎵太陽電池
12.4低成本太陽電池
一.太陽電池級硅(SOGSi)
二.多晶硅太陽電池
三.非晶硅太陽電池
第13章半導體光電探測器
13.1概述
13.2光敏電阻
一.結構.原理及參數(shù)
二.主要光敏電阻的分類.用途及特點
13.3光敏二極管
一.光敏二極管的特點
二.耗盡層光敏二極管
三.雪崩光敏二極管
13.4光伏控制器件
一.雙極型光敏晶體管
二.光敏場效應晶體管
第14章CCD攝像傳感器件
14.1概述
14.2CCD攝像器件的作用及工作方式
14.3工作的物理基礎
一.光電轉換-信息電荷"圖像"產(chǎn)生
二.電荷存儲
三.電荷轉移.轉移效率及頻率響應
14.4分類.用途.結構及工作原理
一.分類與用途
二.幀傳輸CCD面型攝像器件的結構
三.工作過程
第15章發(fā)光二極管和半導體激光器
15.1pn結注入式場致發(fā)光原理
一.激發(fā)
二.復合
15.2發(fā)光二極管
一.可見光發(fā)光二極管
二.紅外上轉換發(fā)光管
三.紅外發(fā)光二極管
15.3半導體激光器
一.半導體激光器特點及材料
二.半導體受激發(fā)射
三.不同結構的半導體激光器
參考文獻
習題三
第四篇微波半導體器件
第16章微波二極管
16.1變?nèi)荻O管
一.變?nèi)荻O管基本工作原理
二.變?nèi)荻O管主要參數(shù)
三.變?nèi)荻O管結構和工藝
四.調(diào)諧變?nèi)荻O管
16.2階躍恢復二極管
16.3pin二極管
一.結構及工藝
二.基本工作原理
三.特性與參數(shù)
16.4雪崩渡越時間二極管
一.崩越二極管基本工作原理
二.結構與工藝
三.主要參數(shù)
四.勢越二極管和速越二極管
16.5肖特基勢壘二極管
一.肖特基勢壘
二.伏安特性
三.等效電路和參數(shù)
四.結構和工藝
第17章轉移電子器件
17.1轉移電子效應
17.2高場疇
17.3基本工作模式
17.4限累二極管
17.5結構.工藝及特性
第18章微波雙極晶體管
18.1微波晶體管的S參量
18.2硅微波雙極晶體管
18.3異質(zhì)結雙極晶體管
一.HBT的理論基礎
二.HBT的制作方法與結構
三.HBT的特性
四.HBT的設計
五.Si/SiGe/SiHBT
第19章微波場效應晶體管
19.1砷化鎵場效應晶體管
一.GaAs　MESFET的基本結構與工作原理
二.GaAs　MESFET的主要特性
三.低噪聲GaAs　MESFET
四.功率GaAs　MESFET
19.2高電子遷移率晶體管
一.基本工作原理
二.特性
三.結構和設計
四.PHEMT和InPHEMT
19.3真空微電子器件
一.基本工作原理和結構
二.材料及工藝
參考文獻
習題四