模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第三版）

第一章　半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用
　本章學(xué)習(xí)目的和要求
§1.1　PN結(jié)
　 1.1.1　本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性
　 1.1.2　雜質(zhì)半導(dǎo)體及其導(dǎo)電特性
　 1.1.3　PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦?br /> §1.2　半導(dǎo)體二極管
　 1.2.1　半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)及類型
　 1.2.2　半導(dǎo)體二極管的主要特性
　 §1.3　半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)及型號命名
　 1.3.1　半導(dǎo)體二極管的主要參數(shù)
　 1.3.2　半導(dǎo)體二極管的型號命名
§1.4　半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用
　 1.4.1　半導(dǎo)體二極管的電路模型
　 1.4.2　半導(dǎo)體二極管的應(yīng)用舉例
§1.5　幾種常見的特殊二極管及其應(yīng)用
　 1.5.1　穩(wěn)壓二極管及其應(yīng)用
　 1.5.2　開關(guān)二極管及其應(yīng)用
　 1.5.3　變?nèi)荻O管及其應(yīng)用
　 1.5.4　發(fā)光二極管及其應(yīng)用
　本章小結(jié)
　復(fù)習(xí)思考題
　練習(xí)題
第二章　雙極型晶體管及其基本放大電路
　本章學(xué)習(xí)目的和要求
§2.1　雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)及其工作原理
　 2.1.1　晶體管的結(jié)構(gòu)和類型
　 2.1.2　晶體管的工作原理
§2.2　晶體管的伏安特性及主要參數(shù)
　 2.2.1　晶體管的伏安特性
　 2.2.2　溫度對晶體管伏安特性韻影響
　 2.2.3　晶體管的主要參數(shù)
§2.3　晶體管的開關(guān)特性
　 2.3.1　晶體管的開關(guān)作用
　 2.3.2　晶體管的開關(guān)特性
§2.4　晶體管基本放大電路
　 2.4.1 晶體管共射極基本放大電路的組成
　 2.4.2 晶體管基本放大電路的工作原理
　 2.4.3　放大電路的性能指標(biāo)
§2.5　放大電路的基本分析方法
　 2.5.1　圖解分析法
　 2.5.2　微變等效電路分析法
§2.6　放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定
　 2.6.1　靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置原則
　 2.6.2　穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的措施
§2.7　基本放大電路的三種組態(tài)
　 2.7.1　共集電極基本放大電路
　 2.7.2　共基極基本放大電路
　 2.7.3　三種基本組態(tài)放大電路的比較
§2.8　放大電路的頻率特性
　 2.8.1　放大電路頻率特性的一般概念　
　 2.8.2　共發(fā)射極RC耦合基本放大電路的頻率特性
　本章小結(jié)
　復(fù)習(xí)思考題
　練習(xí)題
第三章 單極型晶體管及其基本放大電路和多級放大電路
　本章學(xué)習(xí)目的和要求
§3.1 結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)
　 3.1.1　結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)
　 3.1.2　結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理
　 3.1.3　結(jié)型場效應(yīng)管的伏安特性
§3.2 絕緣柵型場效應(yīng)管(IGFET)
　 3.2.1　絕緣柵型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)
　 3.2.2　絕緣柵型場效應(yīng)管的工作原理
　 3.2.3　N溝道E型MoS管的伏安特性
　 3.2.4　其它MoS場效應(yīng)管
§3.3　場效應(yīng)管的主要參數(shù)及使用注意事項(xiàng)
§3.4　場效應(yīng)管基本放大電路
　 3.4.1 場效應(yīng)管基本放大電路的組成
　 3.4.2　場效應(yīng)管基本放大電路的分析
　 3.4.3　共漏極基本放大電路
　　　……
第四章　放大電路中的反饋
第五章　模擬集成電路基礎(chǔ)
第六章　集成運(yùn)算放大電路及其應(yīng)用
第七章　振蕩電路
第八章　無線電廣播與接收基礎(chǔ)
第九章　直流電源電路
第十章　電流模電路簡介
參考文獻(xiàn)