現(xiàn)代電力電子電路

緒論
第一章　電路運行條件對功率場效應晶體管性能的影響
第一節(jié)　功率場效應晶體管的主要特性
一、基本結構和分類
二、工作原理
三、正向輸出特性
四、飽和區(qū)的電流轉移特性
五、反向輸出特性
第二節(jié)　電路運行條件對導通電阻Ron的影響
一、導通電阻Ron的構成
二、導通電阻Ron的測量條件
三、電路運行條件對導通電阻Ron的影響
第三節(jié)　電路運行條件對安全工作區(qū)的影響
一、安全工作區(qū)的分類
二、正偏安全工作區(qū)（FBSOA）
三、功率場效應晶體管和功率晶體管DCFBSOA的比較
四、電路運行條件對SOA的影響
第四節(jié)　電路運行條件對功率場效應管開關過程的影響
一、功率場效應晶體管的等效電路
二、純阻負載下Power MOSFET的開關過程
三、感性負載下Power MOSFET的開關過程
四、考慮分布電感LD時的開關過程分析
五、柵極電荷特性
第五節(jié)功率場效應晶體管的并聯(lián)應用
一、導致功率場效應晶體管并聯(lián)時電流不均的原因
二、靜態(tài)電流不均分析
三、動態(tài)電流不均分析
四、并聯(lián)運用中的寄生振蕩及其抑制
第六節(jié)功率場效應晶體管的柵極驅動電路
一、柵極驅動電路的基本功能
二、柵極驅動電路的分類
三、輸入級的耦合方式
四、輸出級的耦合方式
五、驅動電路的供電方式
六、集成式驅動電路芯片
七、過流保護
參考文獻
第二章　電路運行條件對IGBT和MCT性能的影響
第一節(jié)　IGBT的結構和主要特性
一、IGBT的結構
二、N＋緩沖層的作用
三、正向輸出特性
四、通態(tài)特性
五、飽和區(qū)的電流轉移特性
六、IGBT的電流容量
第二節(jié)　電路運行條件對IGBT開關過程的影響
一、IGBT的開關電路
二、電路運行條件對開通過程的影響
三、電路運行條件對關斷過程的影響
第三節(jié)　IGBT的緩沖電路
一、IGBT開關電路的負載動態(tài)軌跡
二、緩沖電路
第四節(jié)　IGBT的驅動電路
一、IGBT短路狀態(tài)下的載流能力
二、IGBT短路狀態(tài)的失效機理
三、軟開關環(huán)境對IGBT驅動電路的影響
四、分立式IGBT驅動電路
五、集成式IGBT驅動電路
第五節(jié)　IGBT功率集成電路
一、IGBT-IPM的基本結構
二、IPM的內藏功能
三、IPM產品示例
第六節(jié)　MCT的結構和工作原理
第七節(jié)　MCT的主要特性
一、通態(tài)特性
二、阻斷特性
三、MCT的載流能力
四、MCT的安全工作區(qū)
五、MCT的開關性能
第八節(jié)　MCT的驅動電路
一、MCT門極脈沖參數
二、MCT門極驅動電路示例
三、IGBT和MCT的比較
參考文獻
第三章　直流變換電路
第四章　無源逆變電路
第五章　交流變換電路
第六章　整流電路
第七章　緩沖型軟PWM電路
第八章　控制型軟PWM電路
第九章　交流諧振型軟PWM逆變電路
第十章　直流諧振型軟PWM逆變電路