半導(dǎo)體物理

第1章　量子力學(xué)初步
1.1　量子力學(xué)的誕生
1.2　物質(zhì)波
1.3　力學(xué)量算符與薛定諤方程
1.4　定態(tài)波函數(shù)
1.5　波函數(shù)的性質(zhì)
1.6　歸一化波函數(shù)
1.7 波函數(shù)的統(tǒng)計(jì)解釋——勞厄(Lauer)衍射公式
1.8　求解定態(tài)問題的步驟
1.9　定態(tài)問題實(shí)例
1.10　測不準(zhǔn)原理
1.11　電子的自旋
1.12　簡諧微擾量子躍遷幾率
1.13　泡利不相容原理
第2章　半導(dǎo)體材料的成分與結(jié)構(gòu)
2.1　半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電能力
2.2　半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)
2.3　倒格矢
2.4　晶體結(jié)構(gòu)的測量
2.5　常見半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)
第3章 晶體中電子的能帶
3.1　能級分裂與能帶的形成
3.2　量子力學(xué)處理
3.3　能帶圖的表示方法
3.4　晶體中電子的運(yùn)動
3.5　電子的經(jīng)典近似
3.6　外力與波矢的關(guān)系
3.7 電子的加速度及有效質(zhì)量
3.8　能帶填充情況與電流
3.9　金屬、半導(dǎo)體、絕緣體
3.10　空穴
3.11　硅、鍺和砷化鎵的能帶特點(diǎn)
3.12　半導(dǎo)體材料中的雜質(zhì)和缺陷能級
3.13　化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級
3.14　施主、受主的類氫模型
3.15　各種因素對禁帶寬度的影響
第4章　半導(dǎo)體中的電子統(tǒng)計(jì)分布
4.1　狀態(tài)密度
4.2　費(fèi)米一狄拉克分布
4.3　本征半導(dǎo)體與非本征半導(dǎo)體
4.4　只含一種雜質(zhì)的半導(dǎo)體
4.5　飽和電離區(qū)的范圍
4.6　費(fèi)米能級與摻雜濃度的關(guān)系
4.7　簡并半導(dǎo)體
4.8　雜質(zhì)補(bǔ)償
4.9　圖解法確定費(fèi)米能級
第5章 　半導(dǎo)體中的電荷輸運(yùn)現(xiàn)象
5.1 電導(dǎo)現(xiàn)象
5.2　晶格振動與聲子
5.3　一維雙原子品格的振動
5.4　三維晶體中的晶格振動
5.5　一維晶格原子振動的能量
5.6　聲子的統(tǒng)計(jì)分布
5.7　載流子的散射
5.8　多能谷下的電導(dǎo)率
第6章　半導(dǎo)體材料的物理現(xiàn)象
6.1 霍耳效應(yīng)
6.2　磁電阻效應(yīng)
6.3　半導(dǎo)體磁敏二極管
6.4 巨磁阻(GMR)與超巨磁阻(CMR)
6.5　表面光電壓
6.6　光磁電效應(yīng)
6.7　耿氏效應(yīng)
6.8　半導(dǎo)體的熱效應(yīng)
6.9　熱導(dǎo)率
6.10　半導(dǎo)體的熱電、電熱效應(yīng)
……
第7章　半導(dǎo)體材料的光學(xué)性質(zhì)
第8章　非平衡載流子
第9章　半導(dǎo)體中的接觸現(xiàn)象
第10章　半導(dǎo)體表面與界面
第11章　半導(dǎo)體電子器件
第12章　半導(dǎo)體光電器件
第13章　異質(zhì)結(jié)、量子阱和超晶格
第14章　低維系統(tǒng)中電子的狀態(tài)
參考文獻(xiàn)