數(shù)字集成電路：電路、系統(tǒng)與設(shè)計(jì)

第一部分基本單元
第1章引論
1.1歷史回顧
1.2數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)中的問題
1.3數(shù)字設(shè)計(jì)的質(zhì)量評(píng)價(jià)
1.4小結(jié)
1.5進(jìn)一步探討
第2章制造工藝
2.1引言
2.2CMOS集成電路的制造
2.3設(shè)計(jì)規(guī)則——設(shè)計(jì)者和工藝工程師之間的橋梁
2.4集成電路封裝
2.5綜述：工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
2.6小結(jié)
2.7進(jìn)一步探討
設(shè)計(jì)方法插入說明AIC版圖
第3章器件
3.1引言
3.2二極管
3.3MOS FET 晶體管
3.4關(guān)于工藝偏差
3.5綜述：工藝尺寸縮小
3.6小結(jié)
3.7進(jìn)一步探討
設(shè)計(jì)方法插入說明B——電路模擬
第4章導(dǎo)線
4.1引言
4.2簡介
4.3互連參數(shù)——電容. 電阻和電感
4.4導(dǎo)線模型
4.5導(dǎo)線的SPICE模型
4.6小結(jié)
4.7進(jìn)一步探討
第二部分電路設(shè)計(jì)
第5章CMOS反相器
5.1引言
5.2靜態(tài)CMOS反相器——直觀綜述
5.3CMOS反相器穩(wěn)定性的評(píng)估——靜態(tài)特性
5.4CMOS反相器的性能——?jiǎng)討B(tài)特性
5.5功耗. 能量和能量延時(shí)
5.6綜述：工藝尺寸縮小及其對(duì)反相器衡量指標(biāo)的影響
5.7小結(jié)
5.8進(jìn)一步探討
第6章CMOS組合邏輯門的設(shè)計(jì)
6.1引言
6.2靜態(tài)CMOS設(shè)計(jì)
6.3動(dòng)態(tài)CMOS設(shè)計(jì)
6.4設(shè)計(jì)綜述
6.5小結(jié)
6.6進(jìn)一步探討
設(shè)計(jì)方法插入說明C——如何模擬復(fù)雜的邏輯電路
設(shè)計(jì)方法插入說明D——復(fù)合門的版圖技術(shù)
第7章時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)
7.1引言
7.2靜態(tài)鎖存器和寄存器
7.3動(dòng)態(tài)鎖存器和寄存器
7.4其他寄存器類型
7.5流水線：優(yōu)化時(shí)序電路的一種方法
7.6非雙穩(wěn)時(shí)序電路
7.7綜述：時(shí)鐘策略的選擇
7.8小結(jié)
7.9進(jìn)一步探討
第三部分系統(tǒng)設(shè)計(jì)
第8章數(shù)字tC的實(shí)現(xiàn)策略
8.1引言
8.2從定制到半定制以及結(jié)構(gòu)化陣列的設(shè)計(jì)方法
8.3定制電路設(shè)計(jì)
8.4以單元為基礎(chǔ)的設(shè)計(jì)方法
8.5以陣列為基礎(chǔ)的實(shí)現(xiàn)方法
8.6綜述：未來的實(shí)現(xiàn)平臺(tái)
8.7小結(jié)
8.8進(jìn)一步探討
設(shè)計(jì)方法插入說明E——邏輯單元和時(shí)序單元的特性描述
設(shè)計(jì)方法插入說明F——設(shè)計(jì)綜合
第9章互連問題
9.1引言
9.2電容寄生效應(yīng)
9.3電阻寄生效應(yīng)
9.4電感寄生效應(yīng)
9.5高級(jí)互連技術(shù)
9.6綜述：片上網(wǎng)絡(luò)
9.7小結(jié)
9.8進(jìn)一步探討
第10章數(shù)字電路中的時(shí)序問題
10.1引言
10.2數(shù)字系統(tǒng)的時(shí)序分類
10.3同步設(shè)計(jì)—一個(gè)深人的考察
10.4自定時(shí)電路設(shè)計(jì)
10.5同步器和判斷器
10.6采用鎖相環(huán)進(jìn)行時(shí)鐘綜合和同步
10.7綜述：未來方向和展望
10.8小結(jié)
10.9進(jìn)一步探討
設(shè)計(jì)方法插入說明G——設(shè)計(jì)驗(yàn)證
第11章設(shè)計(jì)運(yùn)算功能塊
11.1引言
11.2數(shù)字處理器結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)通路
11.3加法器
11.4乘法器
11.5移位器
11.6其他運(yùn)算器
11.7數(shù)據(jù)通路結(jié)構(gòu)中對(duì)功耗和速度的綜合考慮
11.8綜述：設(shè)計(jì)中的綜合考慮
11.9小結(jié)
11.10進(jìn)一步探討
第12章存儲(chǔ)器和陣列結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
12.1引言
12.2存儲(chǔ)器內(nèi)核
12.3存儲(chǔ)器外圍電路
12.4存儲(chǔ)器的可靠性及成品率
12.5存儲(chǔ)器中的功耗
12.6存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的實(shí)例研究
12.7綜述：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展趨勢(shì)與進(jìn)展
12.8小結(jié)
12.9進(jìn)一步探討
設(shè)計(jì)方法插入說明H——制造電路的驗(yàn)證和測(cè)試
思考題答案