數(shù)字CMOS VLSI分析與設計基礎

定　價：￥25.00

作　者：	甘學溫編著
出版社：	北京大學出版社
叢編項：
標　簽：	VLSI設計

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ISBN：	9787301040355	出版時間：	2002-12-01	包裝：	膠版紙
開本：	26cm	頁數(shù)：	321	字數(shù)：

內容簡介

　　本書全面系統(tǒng)地講解了數(shù)字CMOSVLSI的基本原理及其設計。全書共分11章。前兩章分析了MOS晶體管的基本原理以及器件按比例縮小的性能。第三章介紹了CMOSVLSI的制造工藝。第四至七章和第九章論述了CMOSVLSI的結構特點、工作原理及設計方法，并給出了很多電路實例。第八章介紹了VLSI存儲器的新結構和新電路。最后兩章介紹了90年代迅速發(fā)展的SOICMOS和BICMOS新技術。本書既強調了基本知識，又反映了CMOSVLSI的最新進展。全書條理清楚，講解透徹，內容先進，便于自學。本書可作為微電子專業(yè)或相關專業(yè)的高年級本科生和研究生的教材，同時也是從事微電子技術研究、電路設計、生產(chǎn)及應用的工程技術人員的重要參考書。另外，對于其他專業(yè)想了解大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的工程技術人員，也是一本很有價值的參考書。

作者簡介

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圖書目錄

第一章  MOS晶體貿(mào)工作原理
1. 1  MOS晶體管的結構特點和基本原理
1. 2  MOS晶體管的閾值電壓分析
1. 3  MOS晶體管的電流方程
1. 4  MOS晶體管的瞬態(tài)特性
第二章  MOS器件按比例縮小
2. 1  按比例縮小理論
2. 2  高電場效應對按比例縮小器件性能的影響
2. 3  不能按比例縮小的參數(shù)的影響
2. 4  VLSI發(fā)展的實際限制
第三章  CMOS IC工藝流程及電路中的寄生效應
3. l  集成電路制作中的幾個基本工藝步驟
3. 2  CMOS ICI藝流程
3. 3  CMOS IC中的寄生效應
第四章  CMOS反相器和 CMOS傳輸門
4. 1  CMOS反相器的直流特性
4. 2  CMOS反相器的瞬態(tài)特性
4. 3  CMOS反相器的功耗
4. 4  CMOS反相器的設計
4. 5  CMOS和NMOS電路性能比較
4. 6  CMOS傳輸門
第五章  CMOS靜態(tài)邏輯電路設計
5. 1  靜態(tài)CMOS邏輯門的構成特點
5. 2  CMOS與非門的分析
5. 3  CMOS或非門的分析
5. 4  CMOS與非門和或非門的設計
5. 5  組合邏輯電路的設計
5. 6  類NMOS電路
5. 7  傳輸門邏輯電路
5. 8  差分CMOS邏輯系列
第六章  動態(tài)和時序邏輯電路設計
6. 1  動態(tài)邏輯電路的特點
6. 2  預充一求值的動態(tài)CMOS電路
6. 3  多米諾（Domino）CMOS電路
6. 4  時鐘 CMOS（C MOS）電路
6. 5  無競爭（NORA）動態(tài)CMOS電路
6. 6  CMOS觸發(fā)器
6. 7  時序邏輯電路
第七章  輸入. 輸出緩沖器
7. 1  輸入緩沖器
7. 2  輸入保護電路
7. 3  輸出緩沖器
7. 4  脫片輸出驅動級的設計
7. 5  三態(tài)輸出和雙向緩沖器
第八章  MOS存儲器
8. 1  DRAM
8. 2  SRAM
8. 3  ROM和PLD
第九章  MOS IC的版圖設計
9. 1  VLSI的設計方法
9. 2  門陣列和標準單元設計方法
9. 3  版圖設計
第十章  SOICMOS簡介
10. 1  SOI CMOS工藝
10. 2  薄膜SOIMOSFET的基本特性
10. 3  短溝薄膜SOIMOSFET的二級效應
第十一章  BICMOS電路
11. 1  MOS和雙極型器件性能比較
11. 2  BICMOS工藝和器件結構
11. 3  BiCMOS邏輯門的設計
11. 4  BiCMOS和CMOS電路性能的比較
11. 5  BiCMOS電路實例
主要符號表
主要參考文獻
附錄