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當前位置： 首頁出版圖書科學技術(shù)自然科學物理學半導體的電子結(jié)構(gòu)與性能（第4卷）

半導體的電子結(jié)構(gòu)與性能（第4卷）

半導體的電子結(jié)構(gòu)與性能（第4卷）

定　價：￥73.00

作　者： （英）W.施羅特爾（Wolfgang Schroter）主編；甘駿人，夏冠群等譯；甘駿人譯
出版社： 科學出版社
叢編項： 材料科學與技術(shù)叢書
標　簽： 超導電性
ISBN： 9787030075253 出版時間： 2001-02-01 包裝： 精裝
開本： 27cm 頁數(shù)： 530 字數(shù)：  

內(nèi)容簡介

　　本卷主要介紹半導體的電子結(jié)構(gòu)與性能。本卷共11章。第1章至第4章主要闡述半導體中的能帶理論、光學性質(zhì)和電荷輸送，本征點缺陷及深中心；第5章至第8章敘述平衡、非平衡，擴散"和淀積，位錯，半導體中的晶界及界面；第9章至第11章介紹量子線中的霍爾效應，氫化無定形硅的材料特性，硅中3d過渡元素的高溫特性。本卷可供材料科學、物理、金屬學、電子、機械、航空、航天等研究、教學及生產(chǎn)的科學技術(shù)工作者閱讀、參考。

作者簡介

暫缺《半導體的電子結(jié)構(gòu)與性能（第4卷）》作者簡介

圖書目錄

1半導體中的能帶理論
2光學性質(zhì)和電輸運
3半導體中的本征點缺陷
4半導體中的深中心
5平衡.非平衡.擴散和沉淀
6位錯
7半導體中的晶界
8界面
9量子線中的霍爾效應
10氫化無定形硅的材料特性
11硅中3d過渡元素的高溫特性
索引

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